[发明专利]一种用于小间距扩散成结表征的测试结构和测试方法在审
申请号: | 201811387851.0 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN109378281A | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 于春蕾;李雪;邵秀梅;龚海梅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544;G01R31/00;G01Q60/46 |
代理公司: | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 扩散 测试结构 电学串音 光学串音 横向扩散 光敏区 制备 矩阵 对比测试 扩散窗口 半绝缘 扩散区 平面型 吸收层 探测器 衬底 帽层 分析 | ||
1.一种用于小间距扩散成结的测试结构,包括半绝缘InP衬底(1)、N型InP缓冲层(2)、InGaAs吸收层(3)、N型InP帽层(4)、光敏区(5)、P电极(6)、N电极(7),其特征在于:
所述光敏区(5)包括2组3ⅹ2扩散窗口区阵列,扩散窗口的形状为矩形,其中第1组阵列的扩散窗口尺寸为200μmⅹ5um,扩散窗口之间的距离为5μm;第2组阵列的扩散窗口尺寸为200μmⅹ7um,扩散窗口之间的距离为3μm。
2.一种基于权利要求1所述用于小间距扩散成结的测试结构小间距扩散成结表征的测试方法,其特征在于,所述的测试包括扩散成结深度和横向扩散宽度、电学串音和光学串音。
3.根据权利要求2所述的一种基于权利要求1所述用于小间距扩散成结的测试结构小间距扩散成结表征的测试方法,其特征在于,所述的扩散成结深度和横向扩散宽度测试方法的步骤为:
1)解理测试样品,形成贯穿待检测的扩散窗口区域的平整横断面;
2)使用扫描电容显微镜,在剖面上测试扩散窗口及其邻近区域的微分电容显微分布;
3)由微分电容显微分布确定PN结位置;
4)根据微分电容分布确定杂质的纵向扩散深度和侧向扩散深度。
4.根据权利要求2所述的一种基于权利要求1所述用于小间距扩散成结的测试结构小间距扩散成结表征的测试方法,其特征在于,所述的电学串音测试方法为:通过给测试样品的相邻像元施加偏压,测试待测像元的电流变化,对测试结果进行处理,确认相邻像元之间是否存在电学串音。
5.根据权利要求2所述的一种基于权利要求1所述用于小间距扩散成结的测试结构小间距扩散成结表征的测试方法,其特征在于,所述的光学串音测试方法的步骤为:
1)将测试结构的电极通过引线焊接与测试基板互连,并固定在测试平台上;
2)使用光束诱导电流成像,测试扩散窗口及其邻近区域的光生电流分布;
3)根据扩散窗口及其邻近区域的光生电流分布表征光学串音。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造