[发明专利]一种多模式的ONFI接口发送电路

说明书

本发明公开了一种多模式的ONFI接口发送电路，包括上拉单元和下拉单元，其中，所述上拉单元包括3.3V的PMOS管和3.3V的第一NMOS管，所述PMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极接电源VDDIO；所述PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的源极相接，作为输出端；所述PMOS管的栅极接收0V或3.3V的控制信号A，所述第一NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号B；所述下拉单元包括3.3V的第二NMOS管，该第二NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号C，分别控制第二NMOS管打开或关闭来发送低电平或高电平。从而解决了三种电压模式的兼容问题。

技术领域

本发明涉及ONFI(Open NAND Flash Interface Specification)接口发送电路。

背景技术

在ONFI接口电路中，不同模式的发送信号的电平规范跨度很大，从3.3V，1.8V，到1.2V。给设计带来很大难度，现有产品技术一般很难做到三者兼容。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多模式的ONFI接口发送电路，解决了三种电压模式的兼容问题。

实现上述目的的技术方案是：

一种多模式的ONFI接口发送电路，包括上拉单元和下拉单元，其中，

所述上拉单元包括3.3V的PMOS管(P型金属氧化物半导体场效应管)和3.3V的第一NMOS管(N型金属氧化物半导体场效应管)，

所述PMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极接电源VDDIO；电源VDDIO由外部电源供给3.3V、1.8V或1.2V；

所述PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的源极相接，作为输出端；

所述PMOS管的栅极接收0V或3.3V的控制信号A，所述第一NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号B；

所述下拉单元包括3.3V的第二NMOS管，该第二NMOS管的栅极接收3.3V或0V的控制信号C，分别控制第二NMOS管打开或关闭来发送低电平或高电平。

优选的，所述的控制信号A、控制信号B和控制信号C均来自前级预驱动单元。

优选的，发送低电平时，上拉单元关闭，下拉单元打开，控制信号A为3.3V，控制信号B为0V；

发送高电平时：

在3.3V模式中，控制信号A为0V，控制信号B为3.3V，所述PMOS管和所述第一NMOS管共同使信号上拉到3.3V；

在1.2V或1.8V模式中，控制信号A为3.3V，控制信号B为3.3V，所述第一NMOS管把信号上拉至1.2V或1.8V。

本发明的有益效果是：本发明通过有效的结构设计，解决了三种电压模式的发送信号的电平规范跨度大导致的设计上难以兼容的问题，使产品应用范围大幅扩展。

附图说明

图1是本发明中上拉单元的电路图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步说明。

本发明的多模式的ONFI接口发送电路中，主驱动单元分为上拉单元和下拉单元。