[发明专利]具有隔离结构的封装在审
申请号: | 201811389012.2 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN109817588A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 尼尚特·拉赫拉;安德鲁·杰佛森·莫尔;阿希莱什·库马尔·辛格;纳瓦斯·坎·奥拉提卡兰达尔 | 申请(专利权)人: | 恩智浦美国有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/498;H01L23/00;H05K3/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触焊盘 隔离结构 封装 半导体管芯 半导体装置 外部连接 再分布层 源侧 | ||
1.一种封装的半导体装置,其特征在于,包括:
半导体管芯;
在所述半导体管芯的有源侧上的再分布层(RDL)结构,所述RDL结构包括在所述RDL结构的外表面上的多个接触焊盘;
附接到所述多个接触焊盘的多个外部连接;和
在所述RDL结构的所述外表面上、在所述多个接触焊盘中的一个或多个接触焊盘周围的隔离结构,其中所述隔离结构的高度是所述外部连接的高度的至少三分之二。
2.根据权利要求1所述的封装的半导体装置,其特征在于,所述一个或多个接触焊盘连接到所述半导体管芯的射频(RF)信号线。
3.根据权利要求1所述的封装的半导体装置,其特征在于,
所述多个外部连接被配置成附接到印刷电路板(PCB)的多个着陆焊盘,并且
所述隔离结构的边缘被配置成与所述PCB相隔间隙高度。
4.根据权利要求1所述的封装的半导体装置,其特征在于,进一步包括:
在所述多个接触焊盘中的另一组一个或多个接触焊盘周围的所述RDL结构的所述外表面上的另一个隔离结构。
5.一种制造封装的半导体装置的方法,其特征在于,所述方法包括:
在半导体管芯的有源侧上形成再分布层(RDL)结构,所述RDL结构包括在所述RDL结构的外表面上的多个接触焊盘;
在所述RDL结构的所述外表面上、在所述多个接触焊盘中的一个或多个接触焊盘周围形成隔离结构;以及
将多个外部连接附接到所述多个接触焊盘,其中所述隔离结构的高度是所述外部连接的高度的至少三分之二。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述形成所述隔离结构包括:
在所述一个或多个接触焊盘周围沿着目标路径在所述RDL结构的所述外表面上沉积一层或多层钝化材料并使其图案化。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述形成所述隔离结构包括:
在所述一个或多个接触焊盘周围在所述RDL结构的所述外表面上附接预先形成的介电结构。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,
所述多个外部连接被配置成附接到印刷电路板(PCB)的多个着陆焊盘,并且
所述隔离结构的边缘被配置成与所述PCB相隔间隙高度。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,
所述隔离结构被配置成作为在附接到所述一个或多个接触焊盘的一组外部连接与沿着所述封装的半导体装置的周长的边缘接合材料之间的屏障。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,
所述隔离结构被配置成作为在附接到所述一个或多个接触焊盘的一组外部连接与所述半导体管芯和所述PCB之间的底部填充材料之间的屏障。
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