[发明专利]用于捕获半导体制造设备的粉末的装置有效
申请号: | 201811389325.8 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN110581086B | 公开(公告)日: | 2023-04-14 |
发明(设计)人: | 徐圣旼;李赫洙;朴铢正;郑玄镐 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司;艾洛特真空技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 捕获 半导体 制造 设备 粉末 装置 | ||
1.一种用于捕获半导体制造设备中的粉末的装置,所述装置布置在处理室与真空泵之间,以捕获从所述处理室排出的废气中的粉末,所述装置包括:
第一捕获单元,所述第一捕获单元首要地用于捕获所述废气中的粉末;
第二捕获单元,所述第二捕获单元接收来自所述第一捕获单元的所述废气,以辅助地捕获所述废气中的粉末;
连接管道,所述连接管道连接在所述第一捕获单元与所述第二捕获单元之间;以及
空气脉动单元,所述空气脉动单元与所述连接管道连接,以去除所述连接管道中的粉末,
其中,所述第一捕获单元和第二捕获单元中的任一个包括防止粉末逆流结构,所述防止粉末逆流结构包括沿所述第一捕获单元或所述第二捕获单元的延伸方向布置的多个捕捉翼,并且
其中,每个所述捕捉翼具有从所述第一捕获单元或所述第二捕获单元的侧壁朝向所述第一捕获单元或所述第二捕获单元的中心部分突出的漏斗形状。
2.如权利要求1所述的装置,其中,所述捕捉翼包括通过其中心部分形成的孔,并且所述孔具有沿向下方向逐渐减小的直径。
3.如权利要求1所述的装置,其中,所述第一捕获单元包括:
第一壳体,所述第一壳体具有内部空间;以及
进气管道,所述进气管道用于将所述废气引入到所述第一壳体的内部空间中,
其中,所述进气管道定位在所述第一捕获单元的防止粉末逆流结构的上方。
4.如权利要求3所述的装置,其中,所述第二捕获单元包括:
第二壳体,所述第二壳体具有内部空间;以及
排气管道,所述排气管道用于将所述废气从所述第二壳体的内部空间排出到所述真空泵,
其中,所述排气管道定位在所述第二捕获单元的防止粉末逆流结构的上方。
5.如权利要求4所述的装置,其中,所述连接管道连接在所述第一壳体与所述第二壳体之间。
6.如权利要求1所述的装置,其中,所述空气脉动单元包括:
空气罐,所述空气罐用于储存具有高压力的空气;
空气脉动口,所述空气脉动口布置在所述连接管道处;
空气管线,所述空气管线连接在所述空气罐与所述空气脉动口之间,以将空气从所述空气罐传送到所述空气脉动口;以及
阀门,所述阀门安装在所述空气管线处,以控制空气的供应。
7.一种用于捕获半导体制造设备中的粉末的装置,所述装置布置在处理室与真空泵之间,以捕获从所述处理室排出的废气中的粉末,所述装置包括:
第一捕获单元,所述第一捕获单元首要地用于捕获所述废气中的粉末;
第二捕获单元,所述第二捕获单元接收来自所述第一捕获单元的所述废气,以辅助地捕获所述废气中的粉末;
连接管道,所述连接管道连接在所述第一捕获单元与所述第二捕获单元之间;以及
空气脉动单元,所述空气脉动单元与所述连接管道连接,以去除所述连接管道中的粉末,
其中,所述第一捕获单元包括防止粉末逆流结构,所述防止粉末逆流结构包括沿所述第一捕获单元的延伸方向布置的多个捕捉翼,
其中,所述第二捕获单元包括捕捉盒,所述捕捉盒具有漏斗形状,所述漏斗形状具有沿向下方向逐渐减小的直径,并且
其中,每个所述捕捉翼具有从所述第一捕获单元的侧壁朝向所述第一捕获单元的中心部分突出的漏斗形状。
8.如权利要求7所述的装置,其中,所述连接管道具有与所述第二捕获单元的中心轴线基本上垂直的中心轴线,并且所述连接管道位于所述第二捕获单元不与所述连接管道相交的位置处,以为所述第二捕获单元中的所述废气提供旋转力和下降力。
9.如权利要求8所述的装置,其中,所述捕捉翼包括通过所述捕捉翼的中心部分形成的孔,并且所述孔具有沿向下方向逐渐减小的直径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造