[发明专利]电子显微镜样品芯片及其相关应用

权利要求书

1.一种电子显微镜样品芯片，其特征在于，包括：

一第一基座，包括：

一薄膜层；

一缓冲层，设置于所述薄膜层上且具有一与所述薄膜层的一区域相对应的缓冲开口；

一主体层，设置于所述缓冲层上且具有一与所述缓冲开口相对应的主体开口，用于露出所述薄膜层与所述缓冲开口相对应的区域，所述主体层厚度为10μm至800μm，所述薄膜层、所述缓冲层以及所述主体层的蚀刻特性不同；以及

一间隔层，设置于所述第一基座下并界定有一样品容置空间，所述样品容置空间与所述薄膜层对应所述缓冲开口的区域相对应；以及

一第二基座，设置于所述间隔层远离所述第一基座的一侧；

所述缓冲开口与所述主体开口叠层设置，且所述缓冲开口的第一开口面积和所述主体开口的第二开口面积相同，且所述缓冲开口和所述主体开口的侧表面与所述薄膜层垂直设置，所述样品容置空间的在所述薄膜层上的正投影的面积等于所述第一开口面积；

其中，所述薄膜层材料为氮化硅或碳化硅，所述缓冲层材料为二氧化硅或铬，所述主体层材料为硅或蓝宝石。

2.根据权利要求1所述的电子显微镜样品芯片，其特征在于，所述主体开口的一侧表面与一相邻的所述主体层的表面形成一呈85度至95度的夹角，所述主体开口的侧表面与一相邻的所述缓冲开口的侧表面形成一呈170度至190度的夹角。

3.根据权利要求1所述的电子显微镜样品芯片，其特征在于，所述薄膜层厚度为5nm至100nm，所述缓冲层厚度为50nm至1μm，所述间隔层厚度为100nm至100μm。

4.根据权利要求1所述的电子显微镜样品芯片，其特征在于，所述间隔层还具有至少两个渠道，所述渠道与所述样品容置空间连通。

5.根据权利要求1所述的电子显微镜样品芯片，其特征在于，所述间隔层与所述第一基座或所述第二基座间还具有至少两个电极，所述电极与所述样品容置空间连接，所述电极在薄膜层上的正投影延伸至所述薄膜层对应所述缓冲开口的区域。

6.根据权利要求1所述的电子显微镜样品芯片，其特征在于，所述间隔层与所述第一基座或所述第二基座间还具有一加热组件，所述加热组件与所述样品容置空间连接，所述加热组件在薄膜层上的正投影未延伸至所述薄膜层对应所述缓冲开口的区域。

7.根据权利要求1所述的电子显微镜样品芯片，其特征在于，所述间隔层与所述第一基座或所述第二基座间还具有至少两个电极以及一加热组件，所述电极与所述样品容置空间连接，所述加热组件与所述样品容置空间连接，所述电极与所述加热组件为共平面配置。

8.一种电子显微镜样品载具，其特征在于，包括：

一如权利要求1至7中任一项所述的电子显微镜样品芯片；以及

一载具基座，用于容置所述电子显微镜样品芯片。

9.一种电子显微镜样品载台，其特征在于，包括：

一如权利要求8所述的电子显微镜样品载具；以及

一载台基座，用于容置所述电子显微镜样品载具。

10.一种电子显微镜样品芯片的基座的制造方法，其特征在于，包括：

设置一缓冲层于一主体层下，所述主体层厚度为10μm至800μm；

设置一薄膜层于所述缓冲层下，所述薄膜层、所述缓冲层以及所述主体层的蚀刻特性不同；

蚀刻所述主体层的一部分和所述缓冲层的一部分分别形成一主体开口和一缓冲开口，所述主体开口与所述缓冲开口相对应，所述缓冲开口与所述主体开口叠层设置，且所述缓冲开口的第一开口面积和所述主体开口的第二开口面积相同；以及

沿所述缓冲开口蚀刻所述缓冲层的另一部分使所述缓冲开口对应薄膜层的一区域，并使所述主体开口露出所述薄膜层与所述缓冲开口相对应的区域，所述主体开口和所述缓冲开口的侧表面与所述薄膜垂直设置；

其中，所述薄膜层材料为氮化硅或碳化硅，所述缓冲层材料为二氧化硅或铬，所述主体层材料为硅或蓝宝石。