[发明专利]一种红光LED外延结构及制作方法

权利要求书

1.一种红光LED外延结构，其特征在于，所述红光LED外延结构包括：

衬底；

在所述衬底上以第一方向依次设置的缓冲层、N型DBR反射镜层、N型限制层、第一波导层、多量子阱层、第二波导层、P型限制层和欧姆接触层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层；

设置在所述P型限制层和所述欧姆接触层之间的存储层，所述存储层包括在所述第一方向上依次设置的(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP层、第一InGaP层、第二InGaP层、第一GaP层和第二GaP层，其中，0＜x＜0.9，0＜y＜1。

2.根据权利要求1所述的红光LED外延结构，其特征在于，所述(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP层的厚度为1nm-300nm，包括端点值。

3.根据权利要求1所述的红光LED外延结构，其特征在于，所述(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E17-1E18，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的红光LED外延结构，其特征在于，所述第一InGaP层的厚度为1nm-50nm，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的红光LED外延结构，其特征在于，所述第一InGaP层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E18-5E19，包括端点值。

6.根据权利要求1所述的红光LED外延结构，其特征在于，所述第二InGaP层的厚度为20nm-100nm，包括端点值。

7.根据权利要求1所述的红光LED外延结构，其特征在于，所述第二InGaP层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为5E20-2E21，包括端点值。

8.根据权利要求1所述的红光LED外延结构，其特征在于，所述第一GaP层的厚度为5nm-15nm，包括端点值。

9.根据权利要求1所述的红光LED外延结构，其特征在于，所述第一GaP层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为1E18-1E19，包括端点值。

10.根据权利要求1所述的红光LED外延结构，其特征在于，所述第二GaP层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为1E18-5E19，包括端点值。

11.根据权利要求1所述的红光LED外延结构，其特征在于，所述第二GaP层的厚度为2um-5um，包括端点值。

12.根据权利要求1所述的红光LED外延结构，其特征在于，所述欧姆接触层的掺杂元素为Mg或C或Zn，掺杂浓度为1E19-1E20，包括端点值。

13.一种红光LED外延结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上以第一方向依次生长缓冲层、N型DBR反射镜层、N型限制层、第一波导层、多量子阱层、第二波导层和P型限制层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述缓冲层；

在所述P型限制层背离所述第二波导层的一侧以所述第一方向依次生长(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP层、第一InGaP层、第二InGaP层、第一GaP层和第二GaP层，其中，0＜x＜0.9，0＜y＜1；

在所述第二GaP层背离所述第一GaP层的一侧生长欧姆接触层。