[发明专利]一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方

权利要求书

1.一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方，其特征在于：工艺步骤为首先，将疏水型气相二氧化硅烘箱脱水,70-90度30-60小时.含水量低于0.8%待产；石英粉高速分散真空脱水105-130度2-3小时.挥发份低于0.5%待产；

其次，向配套且干净的1000L或500L行星桶内投入全部羟基封端聚二甲基硅氧烷,二甲基硅油,乙炔碳黑,石英粉推进高速分散搅伴机，加放下搅拌桨，开机调速200-400转/分，抽真空至-0.09Mpa，接冷冻水搅拌5-15分钟；机解除真空，升桨加甲基三丁酮肟基硅烷，抽真空至-0.09Mpa，调速200-400转/分搅拌10-20分钟；调速100-300转/分，充氮气解除真空，分2-3次加入疏水型气相二氧化硅；每次添加要求：时间控制在3-5分钟，调转速400-700转/分，待疏水型气相二氧化硅搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa，调转速800转/分，计时搅拌10-20分钟，之后再加下一次；加完最后一次后待疏水型气相二氧化硅搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa, 调转速800-960转/分，计时搅拌15-30分钟；

最后停机，用氮气解除真空，升桨在氮气保护下迅速取样看外观，马上放下搅拌桨，开始缓慢抽真空；若此时发现外观不合格，应维持高速延时搅拌，由检测人员决定转速（800转/分-900转/分）和搅拌时间不超过20分钟，延时后重复取样看外观，若仍不合格，则由技术部人员处理；稠度合格后加入乙烯基三丁酮肟基硅烷,调速200-400转/分，充氮气解除真空，分2-3次加入中空玻璃微珠；每次添加要求：时间控制在3-5分钟，调转速200-400转/分，待中空玻璃微珠搅拌2分钟后抽真空至-0.09Mpa，计时搅拌5-20分钟之后再加下一次；加完最后一次中空玻璃微珠搅拌2-5分钟后抽真空至-0.09Mpa, 加入丫-氨丙基乙氧基硅烷,调转速200-500转/分，计时搅拌10-30分钟。

2.根据权利要求1所述的一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方，其特征在于：停机测比重合格后出缸送入压料机待分装。

3.根据权利要求1所述的一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方，其特征在于：出料温度不得高于60℃。

4.根据权利要求1所述的一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方，其特征在于：接冷冻水水温20±4℃。

5.根据权利要求1所述的一种高压裸导线绝缘材料的生产工艺流程与配方，其特征在于：高压导线绝缘材料中羟基封端聚二甲基硅氧烷50-65%，二甲基硅油6-7.5%，乙炔碳黑0.8-0.9 %，甲基三丁酮肟基硅烷5-8%，乙烯基三丁酮肟基硅烷0.5-1.2%，丫-氨丙基乙氧基硅烷0.6-0.8%，石英粉5-10%疏水型气相二氧化硅10-15%中空玻璃微珠5-8%。