[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811391794.3 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN111211091A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李华;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供基底，在所述基底中形成沟槽；
将第一电介质填充部分所述沟槽；
对所述第一电介质的进行离子注入处理，所述离子注入处理的温度是50-300℃；
重复填充所述第一电介质并对其进行离子注入处理步骤至所述沟槽的一定深度；
将第二电介质填充满所述沟槽；以及
热处理填充在所述沟槽的电介质使其固化；
其中，在填充所述第二电介质之前所述沟槽未被填充满。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述基底中形成所述沟槽前，还包括在所述基底表面依次形成第一介电层和第二介电层。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述第一电介质填充部分所述沟槽的方法包括旋涂法、流体化学气相沉积法中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入处理包括氧离子注入处理、氩离子注入处理中的一种或多种。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述离子注入处理的注入能量为40～150keV，注入浓度为1×1010～7×1016atom/cm3。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一电介质填充部分沟槽并对其进行离子注入处理后的高度为以所述沟槽底部为基准、所述沟槽深度的1/7至1/3处。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，重复填充所述第一电介质并对其进行离子注入处理后的高度为以所述沟槽底部为基准、所述沟槽深度的2/3以上。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述第二电介质填充满所述沟槽的方法包括化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、次大气压化学气相沉积法中的一种或多种。
9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比为15:1-30:1。
10.一种半导体器件，其特征在于，由权利要求1-9任一方法制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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