[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

对所述衬底进行第一表面处理，使所述衬底表面具有第二粗糙度，且所述第二粗糙度在预设范围内；

在进行所述第一表面处理之后，在所述衬底表面形成光刻胶层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底为半导体基底。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括半导体基底和位于半导体基底表面的第一材料层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一材料层的材料包括：导电材料和非导电材料中的一种或多种。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述导电材料包括：硅、氮化钛、氮化钴、氮化铝或金属。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述非导电材料包括：氧化硅、氮化硅、碳氮化硅、碳、碳化硅、氧化铝、氧化铪、氮氧化硅或碳氧化硅。

7.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一材料层为一层以上沿垂直于衬底表面方向层叠的材料层，各材料层的材料为导电材料或非导电材料。

8.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一材料层包括介质层和导电层，且介质层暴露出导电层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一表面处理之前，所述衬底表面具有第一粗糙度。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述第一粗糙度的范围在0埃～10埃时，进行所述第一表面处理，使第一粗糙度增大到预设范围内的第二粗糙度；对所述衬底进行第一表面处理的方法包括：等离子表面处理、湿法刻蚀工艺或激光表面处理工艺中的一种或者几种。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述第一表面处理方法为等离子表面处理时，可通过降低气体流量、射频功率或压强中的一种或者几种来降低等离子体的密度，同时通过增加处理时间来增加衬底表面粗糙度；当所述第一表面处理方法为湿法刻蚀工艺时，通过增大主刻蚀液中其他成分，同时增加刻蚀时间来增加衬底表面粗糙度，所述其他成分包括：氧气、臭氧或氮化物。

12.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述第一粗糙度的范围大于300埃时，进行所述第一表面处理，使第一粗糙度减小到预设范围之内的第二粗糙度；对所述衬底进行第一表面处理的方法包括：等离子表面处理、湿法刻蚀工艺或激光表面处理工艺中的一种或者几种。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，当所述第一表面处理方法为等离子表面处理时，可通过增加气体流量、射频功率或压强中的一种或者多种来增加等离子体的密度，同时通过增加处理时间来减小衬底表面粗糙度；当所述第一表面处理方法为湿法刻蚀工艺时，通过降低主刻蚀液中其他成分或者不加入其他成分，同时通过增加刻蚀时间来减小衬底表面粗糙度，所述其他成分包括：氧气、臭氧或氮化物。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预设范围为10埃～300埃。

15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，进行所述第一表面处理之前，还包括：对所述衬底表面进行第二表面处理；所述第二表面处理的方法包括：紫外光照射、通入氧气、紫外光照射通入的氧气、紫外光照射通入的臭氧或通入臭氧对衬底进行表面处理。