[发明专利]半导体元件的制造方法

说明书

一种半导体元件的制造方法包括在基板上方形成鳍结构；形成邻接鳍结构的源极/漏极结构，其中源极/漏极结构包括锡，及使源极/漏极结构曝露于含硼气体以将硼扩散至源极/漏极结构内，以在源极/漏极结构内形成掺杂区域。

技术领域

本揭露是关于一种半导体元件的制造方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)产业已经历迅速发展。在集成电路进化过程中，功能密度(亦即，单位晶片区域的互连元件数目)已增大，而几何形状尺寸(亦即，可通过使用制作制程产生的最小组件(或线路))已减小。此按比例缩小过程提高生产效率及降低相关成本。

此种按比例缩小亦已增大处理及制造集成电路的复杂性，且为实现这些进展，需要对集成电路处理及制造进行类似的开发。例如，已引入诸如鳍式场效晶体管(fin likefield-effect transistor；FinFET)的三维晶体管，以替换平面晶体管。

发明内容

本揭露的一实施方式包括在基板上方形成鳍结构；形成邻接鳍结构的源极/漏极结构，其中源极/漏极结构包括锡，及使源极/漏极结构曝露于含硼气体以将硼扩散至源极/漏极结构内，以在源极/漏极结构内形成掺杂区域。

附图说明

本揭示案的态样在结合附图阅读以下详细说明时得以最清晰地理解。应注意，依据产业中的标准实务，各种特征并非按比例绘制。事实上，各种特征的尺寸可任意增大或减小，以便于论述明晰。

图1A至图18C图示依据一些实施例的处于多个阶段的制造半导体元件的一方法；

图19A及图19B是依据一些实施例的一半导体元件的源极/漏极区域的掺杂剂浓度轮廓；

图20A至图41C图示依据一些实施例的处于多个阶段的制造半导体元件的一方法；

图42A至图42D是依据一些实施例的一半导体元件的源极/漏极区域的掺杂剂浓度轮廓。

具体实施方式

以下揭示案提供众多不同实施例或实例以用于实施本案提供标的的不同特征。下文描述组件及配置的特定实例以简化本揭示案。当然，此仅是实例，并非意欲限制。例如，下文描述中第一特征于第二特征上方或之上的形成可包括第一特征与第二特征直接接触而形成的实施例，及亦可包括第一特征与第二特征之间可能形成额外特征，以使得第一特征与第二特征不可直接接触的实施例。此外，本揭示案可在各种实例中反复参考数字及/或字母。此反复是以简单与明晰为目的，且其自身不规定本文论述的各种实施例及/或配置之间的关系。

而且，本案可能使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”等等空间相对术语以便于描述，以描述一个元件或特征与另一(或更多个)元件或特征的关系，如附图中所示。除附图中绘示的定向之外，空间相对术语意欲包括元件在使用或操作中的不同定向。设备可能以其他方式定向(旋转90度或其他定向)，且本案所使用的空间相对描述词可由此进行同样理解。

图1A至图18C图示依据一些实施例的处于多个阶段的制造半导体元件的一方法。

请参看图1A及图1B，其中图1A是制造半导体元件的一个阶段的顶视图，而图1B是沿图1A的线B-B'截取的横截面视图。提供基板100。基板100可为整块硅基板。或者，基板100可包括一元素半导体，如晶态结构中的硅(Si)或锗(Ge)；化合物半导体，如硅锗(SiGe)、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)、砷化铟(InAs)、锑化铟(InSb)、锡、硅锗锡；或上述各者的组合。可能的基板100亦包括绝缘体上硅(silicon on insulator；SOI)基板。绝缘体上硅基板通过使用注氧隔离(separation by implantation of oxygen；SIMOX)、晶圆结合，及/或其他适当方法制造而成。