[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811391965.2 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109671816B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 江斌;肖云飞;刘春杨;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一衬底，所述衬底为蓝宝石衬底；
在所述衬底上生长缓冲层，所述缓冲层包括由下至上依次生长物理气相沉积得到的AlN缓冲层与金属有机化合物化学气相淀积得到的厚度为10～20nm的AlGaN缓冲层，所述AlN缓冲层的厚度为10～30nm；
在所述缓冲层上生长未掺杂GaN层；
在所述未掺杂GaN层上生长N型GaN层，所述N型GaN层的生长温度为1000～1200℃；
在所述N型GaN层上生长AlN层；
在所述AlN层上生长N型GaN应力释放层；
在所述N型GaN应力释放层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长P型GaN层，
其中，所述AlN层的厚度为10～30nm，所述N型GaN应力释放层的厚度为50～80nm，所述N型GaN层的厚度为2～3μm，所述AlN层的生长温度为650～850℃，所述AlN层的生长温度低于所述N型GaN应力释放层，所述N型GaN应力释放层的生长温度为850～900℃。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述AlN层的生长压力为100～150Torr。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述N型GaN应力释放层的生长压力为150～200Torr。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述多量子阱层上生长完P型GaN层之后，在氮气气氛中对所述外延片进行退火处理。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，退火温度为650～850℃，退火时间为5～15min。
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