[发明专利]一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式

说明书

本发明公开了一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式，包括以下步骤：溅镀：在集成电路芯片表面溅镀金属膜；光阻涂布：用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15‑40微米的光阻；曝光：用曝光机，对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光；显影：用显影机和显影液去除掉未曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；电镀金：在芯片上光阻开窗区镀10‑15微米高度的金凸块；光阻去除；进行电浆处理和金蚀刻处理去除溅镀金属膜中的金层；钛钨蚀刻以去除溅镀金属膜中的钛钨膜；用蚀刻液处理上述得到的晶圆上形成待蚀刻层，在待蚀刻层上形成光阻层，在光阻层上形成抗反射层；对抗反射层和光阻层进行曝光显影处理。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式。

背景技术

集成电路制造技术随着摩尔定律而快速向着微小化方向发展，晶片尺寸因集成度提高而不断缩小以增加晶片单位面积的元件数量。生产线上使用的线宽(criticaldimension，CD)已由次微米进入纳米领域，并且变得越来越重要，因此对于光刻工艺的要求也越来越高，所使用的曝光光源已由248nm逐步向193nm的波长发展，甚至更小的波长也在进一步研究之中。

现有光刻工艺中，通常会因为显影不充分而造成光阻残留，进而影响后续半导体器件的质量；为了评估显影机台的显影能力及显影光阻的效果，一般要在形成的半导体器件后进行切片，制作成电子扫描电镜样品，观察光阻是否有残留，使成本增加且影响半导体器件的成品率。

在某晶圆显影工艺中，当光罩的透射率小于2％时，在显影后的检查中会发现光阻残渣，造成这种残渣出现的原因是当光罩的透射率很低，甚至小于2％时，由于未曝光区的光阻不溶解于水，晶圆表面的亲水性很低，导致曝光区的光阻因为表面张力效果而不能完全的溶解掉，从而会导致晶圆表面图形区的光阻残渣降低了显影效果。由于光阻残渣的存在，严重影响了产品的良率。

发明内容

本发明旨在提供了一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式。

本发明提供如下技术方案：

一种蚀刻制程中的光阻层显影处理方式，其特征在于，包括以下步骤：

(1)溅镀：在集成电路芯片表面溅镀金属膜；

(2)光阻涂布：用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15-40微米的光阻；

(3)曝光：用曝光机，对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光；

(4)显影：用显影机和显影液去除掉未曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；

(5)电镀金：在芯片上光阻开窗区镀10-15微米高度的金凸块；

(6)光阻去除；

(7)进行电浆处理和金蚀刻处理去除溅镀金属膜中的金层；

(8)钛钨蚀刻以去除溅镀金属膜中的钛钨膜；

(9)用蚀刻液处理上述得到的晶圆上形成待蚀刻层，在待蚀刻层上形成光阻层，在光阻层上形成抗反射层；对抗反射层和光阻层进行曝光显影处理。

所述步骤(3)中曝光使用波长为405-436纳米的光进行照射10-150秒，使之发生光溶解反应。

所述蚀刻时所用的蚀刻成分及工艺为：碘化钾质量含量10％-25％，碘质量含量5％-10％,其余为水，金蚀刻液温度为22-26℃；单次蚀刻时间为40-50秒。

所述形成抗反射层是在光阻层上喷涂抗反射层，对上述结构进行甩胶处理以得到均匀厚度的抗反射层。