[发明专利]基于石墨烯FSS的石英复合陶瓷频选隐身天线窗口的制备方法

权利要求书

1.一种基于石墨烯FSS的石英复合陶瓷频选隐身天线窗口的制备方法，其特征在于，它包括如下步骤：

步骤1：将针刺石英预制体在真空下，使用硅溶胶浸渍，完成后进行烘干处理；

步骤2：将烘干后的针刺石英预制体在真空下，使用硅溶胶浸渍，完成后进行烘干处理，重复步骤2的上述操作，直到针刺预制体密度达到1.1～1.3g/cm3，然后进行加热处理，完成天线窗口坯料制备；

步骤3：将天线窗口坯料加工至天线窗口要求尺寸；

步骤4：将步骤3机械加工后的天线窗口坯料在真空下，使用硅溶胶浸渍，完成后进行烘干处理，重复步骤4的上述操作，直到天线窗口坯料的密度达到1.5～1.7g/cm3，然后进行加热处理，完成石英复合陶瓷天线窗口制备；

步骤5：将石英复合陶瓷天线窗口的窗口透波内表面通过化学气相沉积处理得到石墨烯膜层；

步骤6：将石英复合陶瓷天线窗口的石墨烯膜层通过激光刻蚀完成石墨烯FSS结构单元的制备。

2.根据权利要求1所述的基于石墨烯FSS的石英复合陶瓷频选隐身天线窗口的制备方法，其特征在于：所述步骤1中烘干温度100～200℃，烘干时间为4～5小时。

3.根据权利要求1所述的基于石墨烯FSS的石英复合陶瓷频选隐身天线窗口的制备方法，其特征在于：所述步骤2中加热处理的时间为3～6小时。

4.根据权利要求1所述的基于石墨烯FSS的石英复合陶瓷频选隐身天线窗口的制备方法，其特征在于：所述步骤4中加热处理的时间为2～4小时。

5.根据权利要求1所述的基于石墨烯FSS的石英复合陶瓷频选隐身天线窗口的制备方法，其特征在于：所述步骤5中，化学气相沉积的参数为：在温度1000～1200℃的条件下通入流量为5～10L/min的甲烷，并保持30～60min。

6.根据权利要求1所述的基于石墨烯FSS的石英复合陶瓷频选隐身天线窗口的制备方法，其特征在于：所述步骤6中，石墨烯FSS结构单元为十字结构，单个石墨烯FSS结构单元的直径0.2～0.6mm，长度为30～50mm，宽度为30～50mm，相邻两个石墨烯FSS结构单元的间距为5～10mm。

7.根据权利要求1所述的基于石墨烯FSS的石英复合陶瓷频选隐身天线窗口的制备方法，其特征在于：所述步骤5中，将石英复合陶瓷天线窗口置于气相沉积炉中，并对石英复合陶瓷天线窗口的窗口透波内表面通过化学气相沉积处理得到石墨烯膜层。

8.根据权利要求1所述的基于石墨烯FSS的石英复合陶瓷频选隐身天线窗口的制备方法，其特征在于：

步骤1中，将针刺石英预制体在-0.06～-0.09MPa真空下，使用密度为1.1～1.3g/cm3的硅溶胶浸渍3～5小时，完成后进行烘干处理；

步骤2中，将烘干后的针刺石英预制体在-0.06～-0.09MPa真空下，使用密度为1.1～1.3g/cm3的硅溶胶浸渍3～5小时，完成后进行烘干处理，重复步骤2的上述操作，直到针刺预制体密度达到1.1～1.3g/cm3，然后进行600～800℃的加热处理，完成天线窗口坯料制备；

步骤4中，将步骤3机械加工后的天线窗口坯料在-0.06～-0.09MPa真空下，使用密度为1.1～1.3g/cm3的硅溶胶浸渍3～5小时，完成后进行烘干处理，重复步骤4的上述操作，直到天线窗口坯料的密度达到1.5～1.7g/cm3，然后进行700～900℃的加热处理，完成石英复合陶瓷天线窗口制备。