[发明专利]半导体激光器芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体激光器芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S11:提供一外延片，所述外延片包括平行设置的多个共振腔；

S12:提供一热沉基板，包括相对设置的第一表面与第二表面；

S13:将所述外延片贴合在所述热沉基板的所述第一表面上以形成第一芯片半成品；

S14:沿垂直于所述共振腔的方向上对所述第一芯片半成品进行第一分割以将所述第一芯片半成品分割为多个第二芯片半成品；

S15:沿平行于所述共振腔的方向上对所述第二芯片半成品进行第二分割以将所述第二芯片半成品分割为多个半导体激光器芯片，以使得所述半导体激光器芯片包括至少一个激光巴条。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S14包括：

沿垂直于所述共振腔的方向对所述第一芯片半成品的所述热沉基板进行第一切割以形成第一切割缝。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S14还包括：

沿所述第一切割缝方向对所述第一芯片半成品的所述外延片进行第一劈裂以形成多个所述第二芯片半成品的解理面。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S14包括：对所述第二芯片半成品的所述解理面镀膜形成共振腔，其中对所述共振腔的前腔面镀增透膜，对对所述共振腔的后腔面镀反射膜。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一切割缝的深度大于或等于所述热沉基板的厚度。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S15包括：

沿平行于所述共振腔的方向上对所述第二芯片半成品的所述外延片进行第二分割以形成第二切割缝。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S15包括：

沿所述第二切割缝方向对所述第二芯片半成品的所述热沉基板进行切割以形成多个所述半导体激光器芯片。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第二切割缝的深度大于或等于所述外延片的厚度，所述第二切割缝的宽度小于20um。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S15包括：对所述第二芯片半成品的所述共振腔腔面镀膜形成共振腔，其中对所述共振腔的前腔面镀增透膜，对对所述共振腔的后腔面镀反射膜。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S13包括：对所述外延片的背离所述热沉基板的一面进行减薄和抛光处理。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热沉基板为金属基板、陶瓷基板或蓝宝石基板中的一种。

12.一种半导体激光器芯片装置，其特征在于，包括：

热沉基板；

至少一激光巴条，所述激光巴条包括共振腔；

其特征在于，在平行于所述共振腔方向上，所述热沉基板的长度小于所述激光巴条的长度；在垂直于所述共振腔方向上，所述热沉基板的长度大于所述激光巴条的长度。