[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一电极层；

仅在所述第一电极层的顶部和侧壁形成一体的电容介质层；

形成保形覆盖所述电容介质层和所述电容介质层侧部的基底的第二电极层；

形成贯穿所述第二电极层和电容介质层的开口，所述开口露出所述第一电极层顶部；

在所述第二电极层上形成第二层间介质层，所述第二层间介质层还填充于所述开口内；

在所述第二层间介质层内形成露出所述第二电极层顶部的第一通孔，所述第一通孔形成于所述第一电极层一侧的第二层间介质层内，在所述开口位置处的第二层间介质层内形成露出所述第一电极层顶部的第二通孔，且所述第二通孔侧壁露出的第二层间介质层覆盖所述电容介质层和第二电极层；

在所述第一通孔内形成第一导电柱，在所述第二通孔内形成第二导电柱。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，形成所述电容介质层的步骤包括：形成电容介质膜，所述电容介质膜保形覆盖所述第一电极层的顶部和侧壁、以及所述第一电极层露出的基底；

在所述电容介质膜上形成图形层，所述图形层覆盖位于所述第一电极层顶部和侧壁的所述电容介质膜；

以所述图形层为掩膜，去除所述图形层露出的电容介质膜，保留所述第一电极层顶部和侧壁的电容介质膜作为所述电容介质层；

去除所述图形层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或等离子体化学气相沉积工艺，形成所述电容介质膜。

4.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向异性干法刻蚀工艺，去除所述图形层露出的电容介质膜。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述电容介质层后，形成所述第二电极层之前，还包括：对所述电容介质层进行清洗处理。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述清洗处理所采用的溶液为ST250溶液、NE111溶液、NE320溶液或EKC520溶液，所述清洗处理的工艺时间为10秒至300秒。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一电极层的步骤中，所述第一电极层的厚度为至

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述电容介质层的步骤中，所述电容介质层的厚度为至

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述电容介质层为堆叠形成的高k介质层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用物理气相沉积工艺，形成所述第二电极层。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底内形成有前层金属互连结构，所述前层金属互连结构顶部和所述基底顶部相齐平；

形成所述第一电极层之前，还包括：在所述基底上形成刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成第一层间介质层；

形成所述第一电极层的步骤包括：在所述第一层间介质层上形成所述第一电极层。