[发明专利]集成电路上电测试方法、装置、存储介质及电子设备有效

专利信息
申请号: 201811396944.X 申请日: 2018-11-22
公开(公告)号: CN111209182B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G06F11/36 分类号: G06F11/36
代理公司: 北京律智知识产权代理有限公司 11438 代理人: 袁礼君;阚梓瑄
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 测试 方法 装置 存储 介质 电子设备
【说明书】:

本公开涉及一种集成电路上电测试方法、集成电路上电测试装置、存储介质及电子设备。本公开实施例提供的集成电路上电测试方法包括:获取待测试集成电路的上电测试参数,并获取多种上电测试波形;利用所述上电测试参数为所述多种上电测试波形进行参数赋值以得到多种上电测试用例;使用所述多种上电测试用例对所述待测试集成电路进行上电测试。本公开实施例提供的集成电路上电测试方法可以形成多种上电测试用例,进而可以对集成电路的各种上电情形进行模拟。

技术领域

本公开涉及集成电路技术领域,具体涉及一种集成电路上电测试方法、集成电路上电测试装置、存储介质及电子设备。

背景技术

在集成电路的生产加工过程的不同阶段通常需要进行多次功能测试,以便在产品出厂前及时发现问题,提高集成电路产品的良品率。现有的集成电路测试仪器一般只能对指定功能进行测试,而集成电路在进行功能测试前的上电过程是由另外的上电设备进行控制的。一旦集成电路在上电过程出现问题,会对后续的功能测试产生影响,而由于测试语言的不同,后续功能测试的分析难以获知上电过程的故障原因。因此,如何对集成电路的上电过程以及后续的功能测试过程进行统一是目前亟待解决的问题。

需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种集成电路上电测试方法、集成电路上电测试装置、计算机可读存储介质及电子设备,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制而导致的功能测试仪器难以对上电过程故障进行测试分析的技术问题。

根据本公开的一个方面,提供一种集成电路上电测试方法,其特殊之处在于,包括:包括:

获取待测试集成电路的上电测试参数,并获取多种上电测试波形;

利用所述上电测试参数为所述多种上电测试波形进行参数赋值以得到多种上电测试用例;

使用所述多种上电测试用例对所述待测试集成电路进行上电测试。

在本公开的一种示例性实施方式中,获取待测试集成电路的上电测试参数,包括:

获取待测试集成电路的目标电压和上电时间。

在本公开的一种示例性实施方式中,获取待测试集成电路的上电测试参数,还包括:

获取待测试集成电路的电压阶跃数量。

在本公开的一种示例性实施方式中,获取待测试集成电路的电压阶跃数量,包括:

获取电压阶跃最大值和电压阶跃最小值;

随机选取所述电压阶跃最大值与所述电压阶跃最小值之间的数值作为所述电压阶跃数量。

在本公开的一种示例性实施方式中,利用所述上电测试参数为所述多种上电测试波形进行参数赋值以得到多种上电测试用例,包括:

利用所述目标电压和所述电压阶跃数量计算得到单次电压阶跃高度;

利用所述上电时间和所述电压阶跃数量计算得到单次电压阶跃时间;

利用所述单次电压阶跃高度和所述单次电压阶跃时间为所述多种上电测试波形进行参数赋值以得到多种上电测试用例。

在本公开的一种示例性实施方式中,获取多种上电测试波形,包括:

获取多种初始波形以及多种噪声波形;

利用所述初始波形和所述噪声波形叠加得到所述多种上电测试波形。

在本公开的一种示例性实施方式中,所述初始波形和所述噪声波形均为阶跃电压波形。

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