[发明专利]叠层铜排及三相大功率逆变器

说明书

本发明实施例提供了一种叠层铜排及三相大功率逆变器，所述叠层铜排包括通过绝缘固定件固定在一起的母线正铜排、母线负铜排、U相输出铜排、V相输出铜排、W相输出铜排以及六个绝缘板，且所述母线正铜排、母线负铜排、U相输出铜排、V相输出铜排和W相输出铜排分别夹于两个相邻的绝缘板之间；所述叠层铜排的第一侧表面具有第一接线端子组、第二接线端子组以及第三接线端子组，且所述叠层铜排的第二侧表面具有第四接线端子组、第五接线端子组以及第六接线端子组。本发明实施例通过五层叠层铜排将六个单管半桥臂大功率开关模块分别安装到两个平面内，大大提高了逆变器的功率密度，从而可在对空间要求严苛的行业中使用。

技术领域

本发明涉及逆变器领域，更具体地说，涉及一种叠层铜排及三相大功率逆变器。

背景技术

在低压大功率兆瓦级逆变器中，通过六个半导体开关管将直流母线上的电压转换为UVW三相交流电，如图1所示。

在具体实现时，上述逆变器可采用采用如图2所示的双管IGBT(Insulated GateBipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)进行电压转换。在该逆变器中，每一双管IGBT包括上桥臂开关管和下桥臂开关管，并通过母线正负两层叠层铜排进行接线。然而，上述采用双管IGBT及母线正负两层叠层铜排结构的逆变器，由于单个双管IGBT的功率较小，往往需要多个进行并联以满足功率要求，从而使得母线正负两层叠层铜排的面积较大，并导致逆变器的功率密度相对较小，例如对于1.2兆瓦的逆变器，其柜体的宽度在800mm以上，在很多对空间要求严苛的行业中使用受限。

此外，低压大功率兆瓦级逆变器中还可采用如图3所示的单管半桥臂大功率IGBT进行电压转换，每一单管半桥臂大功率IGBT包括三个并联的开关管，并采用母线+、母线-、输出单相三层叠层铜排结构。但采用该结构逆变器中，多个单管半桥臂大功率IGBT位于同一安装面，同样存在功率密度较小的问题，在兆瓦级逆变器中，柜体占用空间较大。

发明内容

本发明实施例针对上述低压大功率兆瓦级逆变器功率密度较小、无法在对空间要求严苛的行业中使用的问题，提供一种叠层铜排及三相大功率逆变器。

本发明解决上述技术问题的技术方案是，提供一种叠层铜排，包括通过绝缘固定件固定在一起的母线正铜排、母线负铜排、U相输出铜排、V相输出铜排、W相输出铜排以及六个绝缘板，且所述母线正铜排、母线负铜排、U相输出铜排、V相输出铜排和W相输出铜排分别夹于两个相邻的绝缘板之间；所述叠层铜排的第一侧表面具有沿所述叠层铜排的长度方向设置并分别用于连接功率单元模块的第一接线端子组、第二接线端子组以及第三接线端子组，且所述叠层铜排的第二侧表面具有沿所述叠层铜排的长度方向设置并分别用于连接功率单元模块的第四接线端子组、第五接线端子组以及第六接线端子组。

优选地，所述第一接线端子组包括与所述母线正铜排导电连接的第一正输入端子以及与所述U相输出铜排导电连接的第一U相输出端子；

所述第二接线端子组包括与所述母线正铜排导电连接的第二正输入端子以及与所述V相输出铜排导电连接的第一V相输出端子；

所述第三接线端子组包括与所述母线正铜排导电连接的第三正输入端子以及与所述W相输出铜排导电连接的第一W相输出端子；

所述第四接线端子组包括与所述母线负铜排导电连接的第一负输入端子以及与所述U相输出铜排导电连接的第二U相输出端子；

所述第五接线端子组包括与所述母线负铜排导电连接的第二负输入端子以及与所述V相输出铜排导电连接的第二V相输出端子；

所述第六接线端子组包括与所述母线负铜排导电连接的第三负输入端子以及与所述W相输出铜排导电连接的第二W相输出端子。