[发明专利]一种三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有堆叠层以及贯穿所述堆叠层的沟道孔，所述堆叠层包括多层交替排布的层间介质层和牺牲介质层；

在所述沟道孔的底部形成外延硅层，并在所述沟道孔的侧壁上依次形成第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；

在所述沟道孔的侧壁上形成预设厚度的第一无定型硅层；

去除所述外延硅层表面的所述第一氧化硅层、所述氮化硅层、所述第二氧化硅层和所述第一无定型硅层；

去除所述沟道孔内的所述第一无定型硅层；

在所述沟道孔的侧壁上形成预设厚度的第二无定型硅层，并对所述第二无定型硅层进行干氧化处理，以在对所述第一氧化硅层、所述氮化硅层、所述第二氧化硅层和所述第二无定型硅层进行退火的同时，使部分所述第二无定型硅层形成填充所述沟道孔的第三氧化硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述外延硅层表面的所述第一氧化硅层、所述氮化硅层、所述第二氧化硅层和所述第一无定型硅层之后，还包括：

进行灰化处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，去除所述沟道孔内的所述第一无定型硅层的同时，还包括：

进行湿法剥离和预清洗。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第二无定型硅层进行干氧化处理之后，还包括：

对所述沟道孔进行刻蚀形成锥形孔，并在所述锥形孔内沉积氧化硅，以使所述氧化硅与所述第三氧化硅层共同形成所述沟道孔内的填充层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第二无定型硅层进行干氧化处理包括：

在O₂或HCL气体中进行退火处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述部分第二无定型硅层形成的氧化硅与所述部分第二无定型硅层的比例为1:0.44。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

去除所述牺牲介质层，并在所述牺牲介质层的区域形成栅极介质层。