[发明专利]一种安全控制磁场的装置及方法在审

专利信息
申请号: 201811397762.4 申请日: 2018-11-22
公开(公告)号: CN109471393A 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 肖开华;资道周;罗小兵 申请(专利权)人: 广州龙之杰科技有限公司
主分类号: G05B19/042 分类号: G05B19/042;G05F7/00
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 陈宏升;黄磊
地址: 510530 广东省广州市高新技*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 集成驱动器 磁场 输入控制端 安全控制 单片机 桥控制 输出口 开关电源 互锁控制 输出模块 依次连接 反相器 分两路 控制线 输出端 上端 三路 下端 输出 治疗 安全
【权利要求书】:

1.一种安全控制磁场的装置,其特征在于:包括开关电源,所述开关电源的输出端分三路:第一路连接集成驱动器A,第二路连接集成驱动器B,第三路依次连接DC-DC电源、单片机;

所述单片机的PWMA口的控制线分两路:一路直接连到集成驱动器A的输入控制端H,另一路经过反相器A后再到集成驱动器A的输入控制端L;

所述集成驱动器A的输出口HO、LO的电平分别镜像于集成驱动器A的输入控制端H、L的电平;集成驱动器A的输出口HO连到左桥控制模块上端的MOS管控制端,集成驱动器A的输出口LO连到左桥控制模块下端的MOS管控制端;

所述单片机的PWMB口的控制线分两路:一路直接连到集成驱动器B的输入控制端H,另一路经过反相器B后再到集成驱动器B的输入控制端L;

所述集成驱动器B的输出口HO、LO的电平分别镜像于集成驱动器B的输入控制端H、L的电平;集成驱动器B的输出口HO连到右桥控制模块上端的MOS管控制端,集成驱动器B的输出口LO连到右桥控制模块下端的MOS管控制端;

所述左桥控制模块、右桥控制模块的输出分别连接磁场输出模块的两端。

2.根据权利要求1所述安全控制磁场的装置,其特征在于:所述DC-DC电源的第三路连到单片机的VCC端;所述DC-DC电源采用LM2576-ADJ模块。

3.根据权利要求1所述安全控制磁场的装置,其特征在于:所述单片机包括普通51芯片、ARM芯片。

4.根据权利要求1所述安全控制磁场的装置,其特征在于:所述反相器A、反相器B为74HC04、CD40106芯片中的一种。

5.根据权利要求1所述安全控制磁场的装置,其特征在于:所述集成驱动器A、集成驱动器B均为IR2101S芯片。

6.根据权利要求1所述安全控制磁场的装置,其特征在于:所述左桥控制模块、右桥控制模块为MOS管IRFP540、MOS管IRFP640中的一种。

7.根据权利要求1所述安全控制磁场的装置,其特征在于:所述磁场输出模块为漆包铜线组成的线圈。

8.一种安全控制磁场的方法,其特征在于,包括以下步骤:

开关电源输出12V到DC-DC电源,DC-DC电源产生3.3V电压,3.3V电压作为单片机的VCC,开关电源输出另外两路是分别连到集成驱动器A、集成驱动器B,分别为集成驱动器A,集成驱动器B提供12V工作电压;

单片机的PWMA口的控制线分两路:一路直接连到集成驱动器A的输入控制端H,另一路经过反相器A后再到集成驱动器A的输入控制端L;集成驱动器A的输出口HO、LO的电平分别镜像于集成驱动器A的输入控制端H、L的电平;集成驱动器A的输出口HO连到左桥控制模块上端的MOS管控制端,集成驱动器A的输出口LO连到左桥控制模块下端的MOS管控制端;

单片机的PWMB口的控制线分两路:一路直接连到集成驱动器B的输入控制端H,另一路经过反相器B后再到集成驱动器B的输入控制端L;集成驱动器B的输出口HO、LO的电平分别镜像于集成驱动器B的输入控制端H、L的电平;集成驱动器B的输出口HO连到右桥控制模块上端的MOS管控制端,集成驱动器B的输出口LO连到右桥控制模块下端的MOS管控制端;

左桥控制模块、右桥控制模块的输出分别连接磁场输出模块的两端,从而构成一个能够产生磁场的装置;

当单片机的PWMA口高电平时,集成驱动器A的输入控制端HO是高电平,同时单片机的PWMA口经过反相器A后是低电平,集成驱动器A的输入控制端L是低电平,集成驱动器A的输出口H0、LO也分别是高、低电平,保证了集成驱动器A的两个输入端是互为反相的两个电平,同时也保证左桥控制模块上、下输入控制分别为高、低电平,不会出现上下两个管子同时导通的情况;

当单片机的PWMB口高电平时,集成驱动器B的输入控制端HO是高电平,同时单片机的PWMB口经过反相器B后是低电平,集成驱动器B的输入控制端L是低电平,从而集成驱动器B的输出口H0、LO也分别是高、低电平,保证了集成驱动器B的两个输入端是互为反相的两个电平,从而保证右桥控制模块上、下输入控制分别为高、低电平。

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