[发明专利]一种有机电致发光器件在审
| 申请号： | 201811398407.9 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109473562A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李育豪;郭立雪;王君;谢静;朱映光;胡永岚 | 申请（专利权）人： | 固安翌光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 杨玉廷 |
| 地址： | 065500 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子传输功能 空穴传输功能 发光器件 有机电致发光器件 半导体材料 电致发光器件 出光面 发光层 掺杂 载流子传输能力 载流子迁移率 使用寿命 增加应用 提升层 有效地 波长 紫外线 申请 吸收 | ||
1.一种有机电致发光器件，包括发光层和位于所述发光层两侧的空穴传输功能层和电子传输功能层，其特征在于，
靠近所述电致发光器件出光面一侧的所述空穴传输功能层或所述电子传输功能层中掺杂有半导体材料。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂的半导体材料对波长范围为350nm-450nm内的光线的阻挡率大于等于40％。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述半导体材料包括金属、金属氧化物、碳材、高电子亲和力或低游离能力的有机材料、高电子亲和力或低游离能力的有机金属错合物中的至少一种。
4.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，
掺杂有所述半导体材料的空穴传输功能层的厚度大于等于40nm，或者，
掺杂有所述半导体材料的所述电子传输功能层的厚度大于等于40nm。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂的半导体材料的体积百分比范围为2％-50％。
6.根据权利要求1至3任意一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，
掺杂有所述半导体材料的空穴传输功能层内被掺杂材料的光学能隙介于2.6-3.4电子伏特，
或者，
掺杂有所述半导体材料的所述电子传输功能层内被掺杂材料的光学能隙介于2.6-3.4电子伏特。
7.根据权利要求1至3任意一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，
掺杂有所述半导体材料的空穴传输功能层与所述发光层之间设有保护层，
或者，
掺杂有所述半导体材料的所述电子传输功能层与发光层之间设有保护层。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层内材料的载流子传输特性，
与掺杂有所述半导体材料的空穴传输功能层内的被掺杂材料一致；
或者
与掺杂有所述半导体材料的电子传输功能层内的被掺杂材料一致。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述保护层的厚度大于等于10nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
