[发明专利]一种砷化镓电池外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种砷化镓电池外延结构，包括衬底和设置在所述衬底上的牺牲层和电池层，沿远离所述衬底的方向，所述牺牲层和所述电池层依次叠置，所述牺牲层能通过湿法腐蚀辅助所述衬底与所述电池层分离，其特征在于，所述牺牲层从边缘区域向中心区域厚度逐渐降低。

2.根据权利要求1所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述牺牲层边缘区域与中心区域的厚度差范围为10～50nm。

3.根据权利要求1所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述牺牲层的远离所述衬底的一面为向所述衬底侧凹陷的凹弧面，所述牺牲层的靠近所述衬底的一面为向所述电池层侧凹陷的凹弧面。

4.根据权利要求1所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述牺牲层的远离所述衬底的一面为向所述衬底侧凹陷的凹弧面，所述牺牲层的靠近所述衬底的一面为平面。

5.根据权利要求1所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述牺牲层的远离所述衬底的一面为平面，所述牺牲层的靠近所述衬底的一面为向所述电池层侧凹陷的凹弧面。

6.根据权利要求3或5所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述衬底与所述牺牲层之间，且所述缓冲层的远离所述衬底的一面为向所述牺牲层侧凸起的凸弧面，且所述缓冲层的凸弧面与所述牺牲层的凹弧面相贴合。

7.根据权利要求3或4所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，还包括翘曲调节层和欧姆接触层，所述欧姆接触层和所述翘曲调节层设置于所述牺牲层与所述电池层之间，且沿远离所述牺牲层的方向，所述欧姆接触层和所述翘曲调节层依次叠置，所述翘曲调节层的与所述电池层相接触的面为平面。

8.根据权利要求7所述的砷化镓电池外延结构，其特征在于，所述翘曲调节层采用AlInP或AlGaAs材料。

9.一种如权利要求1-8任意一项所述的砷化镓电池外延结构的制备方法，包括在衬底上先后制备形成牺牲层和电池层，其特征在于，制备形成所述牺牲层时，调整工艺环境中形成所述牺牲层的温度由所述牺牲层的中心区域向所述牺牲层的边缘区域逐渐降低。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述砷化镓电池外延结构为权利要求6所述的砷化镓电池外延结构，所述制备方法还包括：制备形成缓冲层，调整工艺环境中形成所述缓冲层的温度由所述缓冲层的中心区域向所述缓冲层的边缘区域逐渐升高。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，形成所述牺牲层的中心区域的温度与形成所述牺牲层的边缘区域的温度差范围，和/或，形成所述缓冲层的边缘区域的温度与形成所述缓冲层的中心区域的温度差范围为50～100℃。

12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述砷化镓电池外延结构为权利要求7所述的砷化镓电池外延结构，所述制备方法还包括：先后制备形成欧姆接触层和翘曲调节层，形成所述翘曲调节层包括：在形成所述翘曲调节层的过程中，调节所述翘曲调节层材料中铝组分的含量，和/或，调节所述翘曲调节层的厚度，使形成的所述翘曲调节层的与所述电池层相接触的面为平面。