[发明专利]基于二端口网络的RFID芯片阻抗测量方法及装置

权利要求书

1.一种基于二端口网络的RFID芯片阻抗测量方法，其特征在于，所述基于二端口网络的RFID芯片阻抗测量方法包括如下步骤：

制作二端口微带线电路板，其中，所述二端口微带线电路板包括直通微带线电路板以及与所述直通微带线电路板等长度的带被测物的微带线电路板；

校准矢量网络分析仪；

测试所述直通微带线电路板的S参数；

测试所述带被测物的微带线电路板的S参数；

基于所述直通微带线电路板的S参数得到针对所述直通微带线电路板的第一传输矩阵；

基于所述带被测物的微带线电路板的S参数得到针对所述带被测物的微带线电路板的第二传输矩阵；

基于所述第一传输矩阵以及所述第二传输矩阵，计算T矩阵；以及

基于所述T矩阵，计算RFID芯片阻抗，

其中，基于所述直通微带线电路板的S参数得到针对所述直通微带线电路板的第一传输矩阵是根据如下公式进行的：

其中，是第一传输矩阵，S₁₁、S₁₂、S₂₁以及S₂₂是所述直通微带线电路板的S参数，Z₀是微带线的特征阻抗。

2.如权利要求1所述的基于二端口网络的RFID芯片阻抗测量方法，其特征在于，基于所述带被测物的微带线电路板的S参数得到针对所述带被测物的微带线电路板的第二传输矩阵是根据如下公式进行的：

其中，是第二传输矩阵，S′₁₁、S′₁₂、S′₂₁以及S′₂₂是所述带被测物的微带线电路板的S参数，Z₀是微带线的特征阻抗。

3.如权利要求2所述的基于二端口网络的RFID芯片阻抗测量方法，其特征在于，基于所述第一传输矩阵以及所述第二传输矩阵，计算T矩阵是根据如下公式进行的：

4.如权利要求3所述的基于二端口网络的RFID芯片阻抗测量方法，其特征在于：基于所述T矩阵，计算RFID芯片阻抗是根据如下公式进行的：

5.一种基于二端口网络的RFID芯片阻抗测量装置，其特征在于，所述基于二端口网络的RFID芯片阻抗测量装置包括：

用于校准矢量网络分析仪的单元；

用于测试直通微带线电路板的S参数的单元；

用于测试带被测物的微带线电路板的S参数的单元；

用于基于所述直通微带线电路板的S参数得到针对所述直通微带线电路板的第一传输矩阵的单元；

用于基于所述带被测物的微带线电路板的S参数得到针对所述带被测物的微带线电路板的第二传输矩阵的单元；

用于基于所述第一传输矩阵以及所述第二传输矩阵，计算T矩阵的单元；以及

用于基于所述T矩阵，计算RFID芯片阻抗的单元；

其中，所述直通微带线电路板以及所述带被测物的微带线电路板是被预先制作的，并且其中，所述带被测物的微带线电路板与所述直通微带线电路板长度相等，其中，基于所述直通微带线电路板的S参数得到针对所述直通微带线电路板的第一传输矩阵是根据如下公式进行的：

其中，是第一传输矩阵，S₁₁、S₁₂、S₂₁以及S₂₂是所述直通微带线电路板的S参数，Z₀是微带线的特征阻抗。

6.如权利要求5所述的基于二端口网络的RFID芯片阻抗测量装置，其特征在于，基于所述带被测物的微带线电路板的S参数得到针对所述带被测物的微带线电路板的第二传输矩阵是根据如下公式进行的：

其中，是第二传输矩阵，S′₁₁、S′₁₂、S′₂₁以及S′₂₂是所述带被测物的微带线电路板的S参数，Z₀是微带线的特征阻抗。