[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的反射层和电池层，沿远离所述衬底的方向，所述反射层和所述电池层依次设置，所述反射层包括至少一个叠层单元，沿远离所述衬底的方向，各所述叠层单元依次叠置，所述叠层单元包括相互叠置的砷化镓层和砷化铝层，所述砷化镓层和所述砷化铝层均为多孔结构层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述砷化镓层和所述砷化铝层中孔的直径范围为1～20nm。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述叠层单元的数量为5～50个。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述砷化镓层的厚度满足d₁＝λ/4n₁，所述砷化铝层的厚度满足d₂＝λ/4n₂；其中，d₁为所述砷化镓层的厚度，n₁为所述砷化镓层的折射率，d₂为所述砷化铝层的厚度，n₂为所述砷化铝层的折射率，λ为入射光波长。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述砷化镓层的厚度范围为4～30nm；所述砷化铝层的厚度范围为4～30nm。

6.一种如权利要求1-5任意一项所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：采用金属有机化合物化学气相沉积法或者分子束外延法在衬底上先后制备形成反射层基膜和电池层，形成所述反射层基膜包括形成至少一个叠层单元，形成所述叠层单元包括形成砷化镓层基膜和砷化铝层基膜的步骤，还包括通过电化学腐蚀的方法在所述砷化镓层基膜和所述砷化铝层基膜中形成孔。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述砷化镓层基膜和所述砷化铝层基膜均为n型掺杂，所述砷化镓层基膜的掺杂浓度低于所述砷化铝层基膜的掺杂浓度。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述砷化镓层基膜的掺杂浓度范围为1×10¹⁷cm^-3～1×10¹⁹cm^-3；所述砷化铝层基膜的掺杂浓度范围为1×10¹⁹cm^-3～1×10²¹cm^-3。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述通过电化学腐蚀的方法在所述砷化镓层基膜和所述砷化铝层基膜中形成孔包括：

将制备形成所述砷化镓层基膜和所述砷化铝层基膜以及所述电池层的所述太阳能电池浸没于酸性电解液中；所述酸性电解液包括硫酸或盐酸；

通过太阳光照射所述太阳能电池；或者，向所述太阳能电池加载正向偏压，直至所述砷化镓层基膜和所述砷化铝层基膜中形成所述孔。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述正向偏压的电压范围为0.5～1.5V。