[发明专利]用于静电放电保护的全摆幅正到负MOSFET电源钳位

权利要求书

1.一种静电放电ESD保护电路，包括：

第一电源线；

第二电源线；

MOSFET开关电路，具有连接到所述第一电源线的第一导电端子、连接到所述第二电源线的第二导电端子、以及栅极控制端子；以及

触发电路，包括：

第一ESD检测电路，被配置为响应于在所述第一电源线和所述第二电源线中的一个或多个电源线处检测到正ESD事件而生成正触发信号，并且包括第一电阻电容式ESD检测电路；

第二ESD检测电路，被配置为响应于在所述第一电源线和所述第二电源线中的一个或多个电源线处检测到负ESD事件而生成负触发信号，并且包括第二电阻电容式ESD检测电路，其中所述第一ESD检测电路和所述第二ESD检测电路反并联耦合在所述第一电源线与所述第二电源线之间；

传递电路，被配置为传递所述正触发信号和所述负触发信号以用于施加到所述MOSFET开关电路的所述栅极端子，其中所述传递电路包括：

第一传递电路，包括彼此并联连接的第一n沟道MOSFET和第一p沟道MOSFET，所述第一n沟道MOSFET的漏极端子和所述第一p沟道MOSFET的漏极端子被连接以接收所述正触发信号，并且所述第一n沟道MOSFET的源极端子和所述第一p沟道MOSFET的源极端子被连接以生成触发控制信号以用于施加到所述MOSFET开关电路的所述栅极端子；以及

第二传递电路，包括彼此并联连接的第二n沟道MOSFET和第二p沟道MOSFET，所述第二n沟道MOSFET的漏极端子和所述第二p沟道MOSFET的漏极端子被连接以接收所述负触发信号，并且所述第二n沟道MOSFET的源极端子和所述第二p沟道MOSFET的源极端子被连接以生成所述触发控制信号以用于施加到所述MOSFET开关电路的所述栅极端子。

2.根据权利要求1所述的电路，进一步包括功能电路，所述功能电路针对电源而电耦合到所述第一电源线和所述第二电源线。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述MOSFET开关电路的所述第一导电端子是连接到所述第一电源线的漏极端子，并且所述MOSFET开关电路的所述第二导电端子是连接到所述第二电源线的源极端子。

4.根据权利要求1所述的电路，

其中所述第一电阻电容式ESD检测电路包括具有连接到所述第二电源线的第一端子的第一电阻器、具有连接到所述第一电源线的第一端子的第一电容器，所述第一电阻器的第二端子和所述第一电容器的第二端子在第一中间节点处彼此连接；以及

其中所述第二电阻电容式ESD检测电路包括具有连接到所述第一电源线的第一端子的第二电阻器、具有连接到所述第二电源线的第一端子的第二电容器，所述第二电阻器的第二端子和所述第二电容器的第二端子在第二中间节点处彼此连接。

5.根据权利要求4所述的电路，进一步包括：

第一预驱动器电路，具有耦合到所述第一中间节点的输入和生成所述正触发信号的输出；以及

第二预驱动器电路，具有耦合到所述第二中间节点的输入和生成所述负触发信号的输出。

6.根据权利要求1所述的电路，其中所述第一ESD检测电路和所述第二ESD检测电路中的每个触发电路包括：

电阻电容式ESD检测电路；

第一反相器电路，具有耦合到所述电阻电容式ESD检测电路的输出的输入；以及

第二反相器电路，具有耦合到所述第一反相器电路的输出的输入和被配置为生成相应的正触发信号或负触发信号的输出。

7.根据权利要求6所述的电路，其中所述第一ESD检测电路的所述电阻电容式ESD检测电路以第一极性耦合到所述第一电源线和所述第二电源线，并且所述第二ESD检测电路以第二极性耦合到所述第一电源线和所述第二电源线，并且其中所述第一极性和所述第二极性相反。