[发明专利]一种多晶硅薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201811402564.2 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN111223754A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 叶昱均 | 申请（专利权）人： | 陕西坤同半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安亚信智佳知识产权代理事务所(普通合伙) 61241 | 代理人： | 段国刚 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基底上形成非晶硅层，在所述非晶硅层上沉积形成第一氧化硅层；
进行快速退火处理，使得所述非晶硅层内部的氢含量小于3％；
去除所述第一氧化硅层表面的有机物；
去除所述非晶硅层上的第一氧化硅层；
在所述非晶硅层上形成第二氧化硅层；
进行准分子激光退火处理，使得所述非晶硅层形成多晶硅层。
2.根据权利要求1所述多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，在所述非晶硅层上形成第二氧化硅层是通过使用准分子紫外光照射形成。
3.根据权利要求2所述多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，使用准分子紫外光照射时通入氧气。
4.根据权利要求3所述多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述快速退火处理温度为450℃-520℃，时间为5min-20min。
5.根据权利要求3所述多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，去除所述第一氧化硅层表面的有机物是使用准分子紫外光照射去除。
6.根据权利要求3所述多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，去除所述非晶硅层上的第一氧化硅层是使用氢氟酸溶液去除，所述氢氟酸溶液的质量浓度为0.5％-1％。
7.根据权利要求3所述多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述非晶硅层上沉积形成的第一氧化硅层的厚度为2nm-10nm。
8.根据权利要求3所述多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述非晶硅层的厚度为40nm-60nm。
9.根据权利要求1-8任一所述多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，还包括：
在基底上形成非晶硅层之前，于该基底表面形成缓冲层，所述缓冲层包括氮化硅层和第三氧化硅层中的至少一层；
其中，所述氮化硅层的厚度为50nm-100nm，所述第三氧化硅层的厚度为200nm-300nm。
10.一种多晶硅薄膜，其特征在于，所述多晶硅薄膜为通过权利要求1-9任一项所述方法制备而成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
