[发明专利]一种提高碳化硅粉料产率的方法有效

专利信息
申请号: 201811402978.5 申请日: 2018-11-23
公开(公告)号: CN109502590B 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 热尼亚 申请(专利权)人: 山东天岳先进材料科技有限公司
主分类号: C01B32/984 分类号: C01B32/984
代理公司: 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 代理人: 吴绍群
地址: 250100 山东省济南市高新区*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 碳化硅 粉料产率 方法
【权利要求书】:

1.一种提高碳化硅粉料产率的方法,其特征在于,包括下述步骤:

1)将碳粉、硅粉和糖类混合制得混合料;

2)将混合料进行高温反应,制得高纯碳化硅粉料;

所述糖类选自单糖、双糖和低聚糖中的至少一种;

所述糖类为粒度不大于100μm的固态颗粒,所述糖类的纯度不低于99%;

所述碳粉和硅粉的粒度不大于100μm,所述碳粉和硅粉的纯度不低于99%;

所述碳粉和硅粉的质量总和与糖类的质量比1:0.02-0.12。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述糖类选自蔗糖、果糖、葡萄糖和异麦芽低聚糖中的至少一种。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述糖类为蔗糖。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述碳粉和硅粉质量总和与糖类的质量比1:0.03-0.1。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述碳粉和硅粉摩尔比0.7-1.3:1。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述碳粉和硅粉的摩尔比0.85-1.15:1。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤 2)的混合料进行高温反应包括下述步骤:①在真空度不大于1×10-3mbar和温度1200-1600℃反应不小于5h,即制得高纯β碳化硅粉料。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述步骤①为:在真空度不大于1×10-4mbar 和温度1300-1500℃反应5-15h,即制得高纯β碳化硅粉料。

9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述步骤2)的混合料进行高温反应还包括:②在步骤①的温度下充入惰性气体至800-1000mbar,升高温度至1800-2400℃,反应至少10h,即制得高纯α碳化硅粉料。

10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述步骤②为:在步骤①的温度下充入惰性气体至800-1000mbar,升高温度至1800-2300℃,反应10h-40h,即制得高纯α碳化硅粉料。

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