[发明专利]一种低成本黑硅太阳能电池制作方法

权利要求书

1.一种低成本黑硅太阳能电池制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、采用的衬底为N型掺镓硅基材，对硅片进行表面清洗和湿法制绒；

S2、利用硼源，对硅片进行高温掺杂，制作P-N结；

S3、在酸溶液、碱溶液中去除硅片表面的硅硼玻璃，以及蚀刻去边；

S4、在硅片正面使用ALD沉积法沉积Al₂O₃层，实现黑硅的上表面钝化；

S5、在Al₂O₃层上使用PECVD沉积法沉积SiN_x减反射层；

S6、在硅片的背面使用PECVD沉积法沉积SiO₂和SiN_x叠层钝化层，实现黑硅的背表面钝化；

S7、在硅片背面钝化层上进行激光开槽；

S8、丝网印刷导电Ag浆和Al浆，制作金属电极；

S9、高温烧结，形成黑硅太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的一种低成本黑硅太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤S1，采用N型单晶硅片作为基底，电阻率控制在1-5ohmcm，制绒技术采用现有的金属离子催化刻蚀技术。

3.根据权利要求1所述的一种低成本黑硅太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤S2，采用液态硼源为扩散源，温度为890-950℃，扩散时间为15-30min；扩散降温采用O₂进行退火，O₂流量为3000-10000sccm，退火温度为600-750℃，时间控制在20-40min，扩散方阻为60-150ohm/sq。

4.根据权利要求1所述的一种低成本黑硅太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤S4，沉积的Al₂O₃钝化层的厚度为5-55nm。

5.根据权利要求1所述的一种低成本黑硅太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤S5，沉积的SiN_x减反射层的厚度为30-95nm，折射率在1.9-2.3。

6.根据权利要求1所述的一种低成本黑硅太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤S6，SiO₂和SiN_x叠层钝化层，SiO₂层折射率为2.4-2.7，厚度为2-10mm，SiN_x层折射率为1.9-2.4，厚度为70-85nm。

7.根据权利要求1所述的一种低成本黑硅太阳能电池制作方法，其特征在于：所述步骤S7，激光开槽图形为线阵列或点阵列，线阵列的刻蚀宽度为10-70μm，间距为0.05-2.5mm，点阵列的点直径为10-70μm，间距为0.1-3mm。