[发明专利]红外传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种红外传感器，其特征在于，包括：

基底，所述基底上形成有红外传感像元；

辐射衰减结构，位于所述红外传感像元上方，所述辐射衰减结构对探测波段的透过率与温度呈负相关。

2.根据权利要求1所述的红外传感器，其特征在于，所述辐射衰减结构包括至少一层调节膜层，所述调节膜层对探测波段的透过率与温度呈负相关。

3.根据权利要求2所述的红外传感器，其特征在于，所述调节膜层对探测波段的折射系数与温度相关。

4.根据权利要求2所述的红外传感器，其特征在于，所述调节膜层材料包括氧化钒或硅中的至少一种。

5.根据权利要求2所述的红外传感器，其特征在于，所述辐射衰减结构还包括辅助层，与所述调节膜层堆叠设置，所述辅助层与所述调节膜层结合后对探测波段的总体透过率与温度呈负相关。

6.根据权利要求1所述的红外传感器，其特征在于，还包括一支撑结构，与所述辐射衰减结构连接，所述辐射衰减结构由所述支撑结构支撑而悬空于所述红外传感像元上方。

7.根据权利要求1所述的红外传感器，其特征在于，所述基底上形成有多个所述红外传感像元，呈阵列形式排列；每个所述红外传感像元上方均设置有一辐射衰减结构。

8.根据权利要求1所述的红外传感器，其特征在于，所述红外传感像元在基底表面的投影位于所述辐射衰减结构在基底表面的投影区域内。

9.根据权利要求1所述的红外传感器，其特征在于，所述探测波段为1μm～16μm。

10.一种红外传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底表面形成有第一牺牲层，以及位于所述第一牺牲层内部及表面的红外传感像元；

形成覆盖所述第一牺牲层和红外传感像元的第二牺牲层；

形成贯穿所述第二牺牲层和第一牺牲层至基底表面的支撑结构，以及位于所述第二牺牲层表面与所述支撑结构连接的辐射衰减结构，所述辐射衰减结构位于所述红外传感像元上方，所述辐射衰减结构对探测波段的透过率与温度呈负相关；

去除所述第二牺牲层和第一牺牲层。

11.根据权利要求10所述的红外传感器的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层和第二牺牲层的材料相同。

12.根据权利要求10所述的红外传感器的形成方法，其特征在于，形成所述支撑结构以及辐射衰减结构的方法包括：刻蚀所述第二牺牲层和所述第一牺牲层，形成贯穿所述第一牺牲层和所述第二牺牲层至基底表面的通孔；在所述通孔内以及第二牺牲层表面形成热辐射衰减膜层，部分所述热辐射衰减膜层填充于所述通孔内，形成支撑结构；刻蚀所述热辐射衰减膜层，形成辐射衰减结构。

13.根据权利要求10所述的红外传感器的形成方法，其特征在于，所述辐射衰减结构包括至少一层调节膜层，所述调节膜层对探测波段的透过率与温度呈负相关。

14.根据权利要求13所述的红外传感器的形成方法，其特征在于，所述调节膜层对探测波段的折射系数与温度相关。

15.根据权利要求13所述的红外传感器的形成方法，其特征在于，所述辐射衰减结构还包括辅助层，与所述调节膜层堆叠设置，所述辅助层与所述调节层结合后对探测波段的总体透过率与温度呈负相关。

16.根据权利要求10所述的红外传感器的形成方法，其特征在于，所述基底上形成有多个所述红外传感像元，呈阵列形式排列；在每个所述红外传感像元上方均形成一辐射衰减结构。

17.根据权利要求10所述的红外传感器的形成方法，其特征在于，所述红外传感像元在基底表面的投影位于所述辐射衰减结构在基底表面的投影区域内。