[发明专利]一种显著抑制俄歇复合的合金量子点及其制备和应用

权利要求书

1.一种显著抑制俄歇复合的合金层量子点的制备方法，其特征在于：以直径为4.5 nm的CdSe核（CdSe QD）为原料；

将0.3μmol CdSe QD的正己烷溶液与1 mL TOP（三辛基膦）和4 mL ODE（十八烯）混合，在50℃条件下抽气去除正己烷；然后将混合液温度升到300℃，同时在上述混合液中加入2mL 0.5 M Zn(OA)₂（油酸锌）溶液；之后将2 mL 2 M TOP-Se, 2 mL 0.5 M Cd(OA)₂（油酸镉）和4 mL ODE的混合溶液以每小时3 mL的速度连续注入反应混合物中，同时，在整个合成过程中，每间隔40分钟要加入上述2 mL Zn(OA)₂溶液到混合反应液中，在反应时间内总共注入四次，总反应时间为160 min；反应结束后用乙醇降温至200℃，然后再用冰水浴冷却至室温即得到合金层量子点；用乙醇和甲苯的混合液，所述乙醇和甲苯的体积比3: 1，将反应得到的QDs纯化2-5次，重新分散在甲苯中，即制得所需合金层量子点（QDs）成品；所述TOP-Se溶液由10 mmol Se和5 mL TOP反应得到；而所述Cd(OA)₂溶液由10 mmol CdO 和10 mL OA、10 mL ODE在150℃实验条件下反应得到。

2.根据权利要求1所述方法，其特征在于：所述Zn(OA)₂溶液是通过10 mmol Zn(ac)₂（醋酸锌）、10 mL OA（油酸）和10 mL ODE 在150℃条件下反应得到。

3.根据权利要求1所述方法，其特征在于：将CdSe核提纯2-6次后分散于正己烷中。

4.一种权利要求1-3任一所述方法制备获得的合金层量子点，其特征在于：

CdSe核四周包裹Cd_1-xZn_xSe壳层，壳层上的组份中x的范围在0.3～0.55之间沿径向逐渐增大，形成Cd_1-xZn_xSe组分连续梯度的生长壳层。

5.一种权利要求1-3任一所述方法制备获得的合金层量子点的应用，所述合金层量子点应用于低阈值激光器、发光二极管（LED）或“non-blinking”非闪烁光源中。