[发明专利]一种场致电子束泵浦紫外光源有效
申请号: | 201811405854.2 | 申请日: | 2018-11-22 |
公开(公告)号: | CN109546527B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 陈一仁;宋航;张志伟;缪国庆;蒋红;李志明;孙晓娟;黎大兵 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01S5/042 | 分类号: | H01S5/042 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 130033 吉林省长春市*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 致电 子束泵浦 紫外 光源 | ||
1.一种场致电子束泵浦紫外光源,其特征在于,所述场致电子束泵浦紫外光源包括场发射电子源及第一电源;
所述场发射电子源的外延层由蓝宝石衬底向外依次包括第二AlN缓冲层、n型GaN半导体层、电极层、介质隔离层及金属栅;
所述电极层包括第一电极与第二电极;所述第一电极与所述第二电极设置于所述n型GaN半导体层同一表面且所述第一电极与所述第二电极之间具有空隙,所述第一电极与所述第二电极无直接接触;
所述介质隔离层设置于所述第一电极与所述第二电极表面,且所述介质隔离层为具有第一开口的层,所述第一开口与所述空隙相对应;
所述金属栅设置于所述介质隔离层表面,且所述金属栅为具有第二开口的金属栅,所述第二开口与所述空隙相对应;
所述场发射电子源的场致发射阴极阵列设置于所述空隙中,且所述场致发射阴极阵列与所述n型GaN半导体层接触设置;
所述场致发射阴极阵列为具有紫外光敏特性的场致发射阴极阵列;
所述第一电极与所述第一电源的负极相连,所述第二电极与所述第一电源的正极相连。
2.如权利要求1所述的场致电子束泵浦紫外光源,其特征在于,所述第一电极与所述第二电极为梳状或指状的面内有周期性图案的电极;
所述第一电极与所述第二电极构成一组叉指电极。
3.如权利要求2所述的场致电子束泵浦紫外光源,其特征在于,所述叉指电极的指间距的范围为5微米至10微米。
4.如权利要求3所述的场致电子束泵浦紫外光源,其特征在于,所述叉指电极的指宽度的范围为5微米至10微米。
5.如权利要求4所述的场致电子束泵浦紫外光源,其特征在于,所述叉指电极的指长度的范围为100微米至300微米。
6.如权利要求1所述的场致电子束泵浦紫外光源,其特征在于,所述场致发射阴极阵列为一维纳米柱构成的阵列。
7.如权利要求6所述的场致电子束泵浦紫外光源,其特征在于,所述一维纳米柱的直径的范围为30纳米至100纳米。
8.如权利要求7所述的场致电子束泵浦紫外光源,其特征在于,所述一维纳米柱的高度的范围为100纳米至500纳米。
9.如权利要求1所述的场致电子束泵浦紫外光源,其特征在于,所述场致电子束泵浦紫外光源的泵浦材料,还包括网状金属电极,所述网状金属电极设置于所述泵浦材料的泵浦对象层表面,所述网状金属电极与所述场致电子束泵浦紫外光源的隔离柱接触设置;
所述网状金属电极包括网状金属电极引出端。
10.如权利要求1所述的场致电子束泵浦紫外光源,其特征在于,所述场致电子束泵浦紫外光源的金属栅的厚度范围为100纳米至500纳米。
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