[发明专利]一种Ag@C修饰的氟化碳电极材料的制备方法

权利要求书

1.一种Ag@C修饰的氟化碳电极材料的制备方法，该方法为化学还原，其特征在于，

步骤a、将Ag化合物和溶剂按照质量比＝(0.5～5):500加入反应器中，控制反应器的搅拌速度为200～400r/min，搅拌时间为20～40min；

步骤b、向上述反应器中加入氟化碳，控制反应器的搅拌速度为500～800r/min，搅拌时间为1～2h，得到混合均匀的混合液；

步骤c、控制反应器的搅拌速度为100～300r/min，向上述混合液中加入质量分数为15～25％的NaOH或KOH水溶液，得到pH值为12～14的碱性溶液；

步骤d、将步骤c所得的碱性溶液升温至40～80℃；

步骤e、控制反应器的搅拌速度为200～400r/min，然后向步骤d升温后的碱性溶液中加入还原剂，搅拌反应的时间为10～20min，得到混合物料；

步骤f、将步骤e所得的混合物料经抽滤、洗涤、干燥、研磨、过100～200目筛后，得到所述Ag@C修饰的氟化碳电极材料。

2.根据权利要求1所述的一种Ag@C修饰的氟化碳电极材料的制备方法，其特征在于：在步骤a，所述Ag化合物为硝酸银。

3.根据权利要求1所述的一种Ag@C修饰的氟化碳电极材料的制备方法，其特征在于：在步骤a，所述溶剂由无水乙醇和水按照质量比＝(2～3):1混合均匀制成。

4.根据权利要求1所述的一种Ag@C修饰的氟化碳电极材料的制备方法，其特征在于：在步骤b，所述氟化碳和Ag化合物的质量比＝100:(0.5～5)。

5.根据权利要求1所述的一种Ag@C修饰的氟化碳电极材料的制备方法，其特征在于：在步骤e，所述还原剂和Ag化合物的质量比＝1:(2～2.5)；所述还原剂为脂肪胺、芳香胺、氰基、氯胺羟胺、羟基胺中的一种。

6.一种Ag@C修饰的氟化碳电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)和浆：按照质量比称取超导碳、石墨烯、科琴黑、CMC、SBR、溶剂和Ag@C修饰的氟化碳电极材料，将所有原料混合，搅拌均匀，制成混合浆料；

(2)涂覆：将上述所得混合浆料均匀涂覆在铝箔两面，置于70～90℃烘箱中干燥30～60min，得到Ag@C修饰的氟化碳极片；

(3)热碾压：将上述Ag@C修饰的氟化碳极片进行热碾压，得到所述Ag@C修饰的氟化碳电极。

7.根据权利要求6所述的一种Ag@C修饰的氟化碳电极的制备方法，其特征在于：所述超导碳、石墨烯、科琴黑、CMC、SBR、溶剂和Ag@C修饰的氟化碳电极材料的质量比＝(0.02～0.03):(0.01～0.02):(0.02～0.03):(0.02～0.03):(0.03～0.04):(1.8～2.2):(0.85～0.90)。

8.根据权利要求6所述的一种Ag@C修饰的氟化碳电极的制备方法，其特征在于：在步骤(1)，所述搅拌的速度为300～500r/min，时间为65～100min。

9.根据权利要求6所述的一种Ag@C修饰的氟化碳电极的制备方法，其特征在于：在步骤(2)，所述混合浆料涂覆在铝箔上的密度为2.0～3.3g/100cm²。

10.根据权利要求6所述的一种Ag@C修饰的氟化碳电极的制备方法，其特征在于：在步骤(3)，所述热碾压的温度为35～50℃，厚度为0.15～0.19mm。