[发明专利]一种发光二极管的透明电极及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的透明电极，其特征在于，所述透明电极为生长在氮化镓基LED上的ITO主体层以及生长在ITO主体层上的ITO粗化层；

所述发光二极管的透明电极制备方法包括如下步骤：

S1.氮化镓基LED外延片的预处理：对外延片表面进行化学清洗，然后放入MOCVD反应腔内部，保持温度300-900℃、压力3-100Torr，处理1-60min；

S2.ITO主体层生长：在保护气氛下，调节生长温度为450-650℃，调节反应腔的压力为3-80Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，在预处理后的外延片表面生长厚度为40-500nm的ITO主体层，控制生长速度为0.1-3nm/min；

S3.ITO粗化层生长：在保护气氛下，调节生长温度为300-450℃，调节反应腔的压力为3-80Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，在ITO主体层上生长厚度为20-200nm的ITO粗化层，控制生长速度为1-10nm/min；

S2、S3所述铟源与锡源的摩尔流量比为5:1-50:1，S2、S3所述铟源与氧源的摩尔流量比为1:1000-1:3000；

所述ITO透明电极为(111)择优取向的多晶薄膜材料，

S1所述化学清洗包括有机清洗和无机酸碱清洗，

S2所述外延片表面是指氮化镓基LED的P型层表面，

S2、S3所述铟源为三甲基铟，所述氧源为氧气、笑气、水、臭氧中的一种，S2、S3所述锡源为四乙基锡、四(二甲氨基)锡、四苯基锡、四甲基锡中的一种。

2.根据权利要求1所述发光二极管的透明电极，其特征在于，所述发光二极管的透明电极制备方法包括如下步骤：

S1.氮化镓基LED外延片的预处理：对外延片表面进行化学清洗，然后放入MOCVD反应腔内部，保持温度600℃、压力20Torr，处理20min；

S2.ITO主体层生长：在保护气氛下，调节生长温度为530-600℃，调节反应腔的压力为6-15Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，调节流量控制铟源与锡源的摩尔流量比为5:1-50:1，调节流量控制铟源和氧源的摩尔流量比为1:500-1:3000，在预处理后的外延片表面生长厚度为80-150nm的ITO主体层，控制生长速度为1-2nm/min；

S3.ITO粗化层生长：在保护气氛下，调节生长温度为430℃，调节反应腔的压力为9Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，调节流量控制铟源与锡源的摩尔流量比为5:1-50:1，调节流量控制铟源和氧源的摩尔流量比为1:1000-1:4000，在ITO主体层上生长厚度为50-100nm的ITO粗化层，控制生长速度为2-5nm/min。

3.根据权利要求1所述发光二极管的透明电极，其特征在于，所述发光二极管的透明电极制备方法包括如下步骤：

S1.氮化镓基LED外延片的预处理：对外延片表面进行化学清洗，然后放入MOCVD反应腔内部，保持温度700℃、压力10Torr，处理30min；

S2.ITO主体层生长：在保护气氛下，调节生长温度为530-600℃，调节反应腔的压力为6-15Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，调节流量控制铟源与锡源的摩尔流量比为5:1-50:1，调节流量控制铟源和氧源的摩尔流量比为1:500-1:3000，在预处理后的外延片表面生长厚度为80-150nm的ITO主体层，控制生长速度为1-2nm/min；

S3.ITO粗化层生长：在保护气氛下，调节生长温度为380℃，调节反应腔的压力为15Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，调节流量控制铟源与锡源的摩尔流量比为5:1-50:1，调节流量控制铟源和氧源的摩尔流量比为1:1000-1:4000，在ITO主体层上生长厚度为50-100nm的ITO粗化层，控制生长速度为2-5nm/min。

4.根据权利要求1所述发光二极管的透明电极，其特征在于，所述氮化镓基LED发光波长范围为300-760nm。