[发明专利]存储系统及其操作方法

说明书

本申请公开了一种存储系统及其操作方法。一种存储系统包括：存储器件，其包括多个存储块；第一检测块，其适用于在写入操作期间基于执行写入操作的次数而在存储块之中检测热存储块；第二检测块，其适用于当热存储块被检测出时，基于执行写入操作的次数而在存储块之中检测第一存储块以及基于第一存储块的地址而检测冷存储块；以及损耗均衡块，其适用于将热存储块的数据换成冷存储块的数据。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2018年2月1日提交的申请号为10-2018-0012744的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各种示例性实施例涉及一种包括存储器件的存储系统，并且更具体地，涉及一种能够减少存储器件的读取干扰现象的存储系统及其操作方法。

背景技术

存储器件主要被分类为易失性存储器件或非易失性存储器件。

易失性存储器件具有高写入速度和高读取速度，但当电源关断时，易失性存储器件丢失储存在其中的数据。易失性存储器件的示例包括动态随机存取存储器(DRAM)、静态RAM(SRAM)等。另一方面，非易失性存储器件具有相对低的写入速度和相对低的读取速度，但即使当电源被切断时，非易失性存储器件仍保留储存在其中的数据。因此，非易失性存储器件在无论电源的情况如何都需要储存应被保留的数据时被使用。非易失性存储器件的代表性示例包括：只读存储器(ROM)、掩模ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、快闪存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电式RAM(FRAM)等。快闪存储器件主要被分类为NOR型存储器件和NAND型存储器件。

在非易失性存储器件之中，PCRAM具有有限的写入耐久性。写入耐久性可以被定义为：在储存介质失去其可靠性之前可以被施加至存储块的写入(即，编程)周期的数量。可以通过估算存储器使用的频率和整个存储器的使用量来计算写入耐久性。

因此，当写入操作集中在特定的存储单元区域上时，存储器件的寿命可能会迅速缩短。为了防止写入操作集中在特定存储单元区域上，存储器件执行损耗均衡操作，以便可以在存储器件的整个存储单元区域中均匀地执行写入操作。损耗均衡操作用于延长储存介质的写入耐久性。这种技术是要将存储单元区域均匀地选择为储存介质的写入操作的目标区域。因此，当减少储存介质中的特定存储单元区域的重复使用时，可以均匀使用所有存储单元区域。

同时，由于存储器件的集成度持续增大，因此存储器件中相邻的存储单元之间的距离减小，这可能会因相邻的存储单元之间的耦合效应的增强而导致故障。例如，当对存储器件的特定存储单元重复执行读取操作时，应力积累在相邻的存储单元中，从而可能发生读取干扰现象且储存在相邻的存储单元中的数据可能被损坏。

发明内容

本发明的各种实施例针对一种能够查验存储器件的读取操作并减少在存储器件的区域中发生的读取干扰的存储系统以及该存储系统的操作方法。

根据本发明的一个实施例，一种存储系统包括：存储器件，其包括多个存储块；第一检测块，其适用于在写入操作期间基于执行写入操作的次数而在所述存储块之中检测热存储块；第二检测块，其适用于当所述热存储块被检测出时，基于执行所述写入操作的次数而在所述存储块之中检测第一存储块以及基于所述第一存储块的地址而检测冷存储块；以及损耗均衡块，其适用于将所述热存储块的数据换成所述冷存储块的数据。

根据本发明的一个实施例，一种存储系统的操作方法包括：在所述写入操作期间，基于执行写入操作的次数而在多个存储块之中检测热存储块；当所述热存储块被检测出时，基于执行所述写入操作的次数而在所述存储块之中检测第一存储块；基于所述第一存储块的地址而检测冷存储块；以及将所述热存储块的数据换成所述冷存储块的数据。