[发明专利]大芯径光纤预制棒和光纤的制备方法

权利要求书

1.一种大芯径光纤预制棒的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)将大芯径光纤预制棒芯组分SiO₂、Al₂O₃、P₂O₅、Yb₂O₃和F的含量换算成沉积时气态反应物料的流量，其中，预制棒芯组分SiO₂、Al₂O₃、P₂O₅、Yb₂O₃和F的组分含量为SiO₂：95～97.5mol％，Al₂O₃：1～2.5mol％，P₂O₅：1～2mol％，Yb₂O₃：0.1-0.25mol％，F：0～0.8mol％；在MCVD设备的控制系统中设定气态反应物料的流量及沉积层数，所述沉积层数为10层；其中，所用的气态反应物料包括SiCl₄、Al(acac)₃、Yb(thd)₃、POCl₃、SiF₄和O₂，所述气态反应物料的流量为：

或者，所述气态反应物料的流量为：

或者，所述气态反应物料的流量为：

或者，所述气态反应物料的流量为：

或者，所述气态反应物料的流量为：

2)将清洗干净的石英管连接至MCVD沉积床上，采用氢氧焰预热石英管；预热的同时，石英管处于旋转状态；预热完成后，通入SF₆气体侵蚀石英管内壁；

3)侵蚀完成后，将气态反应物料通入转动的石英管内进行芯棒沉积；石英管的加热温度为1850℃-1950℃；

4)达到设定的沉积层数时，开始缩管，缩管过程中通入氯气；待石英管由空心管缩成实心棒，预制棒制作完成。

2.根据权利要求1所述的一种大芯径光纤预制棒的制备方法，其特征在于：步骤3)中，反应物料Al(acac)₃和Yb(thd)₃分别作为独立系统，加热后以气态形式进入石英管；Al(acac)₃的加热温度为240-260℃，Yb(thd)₃的加热温度为200-240℃。

3.根据权利要求2所述的一种大芯径光纤预制棒的制备方法，其特征在于：步骤3)中通过载气O₂输送POCl₃、SiCl₄至石英管内；通过载气He输送气相的Al(acac)₃、Yb(thd)₃进入石英管内；气体SiF₄和O₂直接通入石英管。

4.根据权利要求3所述的一种大芯径光纤预制棒的制备方法，其特征在于：步骤4)中的缩管在2000～2100℃进行。

5.一种光纤的制备方法，其特征在于：包括以下步骤

1)采用权利要求1至4任一所述的制备方法制备大芯径光纤预制棒；

2)对所制备的大芯径光纤预制棒进行套管，套完管后加工成八边形；

3)在2050±20℃的温度下进行拉丝，拉制为光纤。