[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201811407379.2 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109616486A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张东亮;陈世杰;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海领洋专利代理事务所(普通合伙) 31292 | 代理人： | 吴靖靓 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 微透镜 衬底 半导体 光电二极管 滤色片 强光 感光变色材料 进入量 可变色 分立 制造 图像 曝光 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立排列的光电二极管；
滤色片，位于所述半导体衬底上且对应于所述光电二极管；
微透镜，位于所述滤色片上，所述微透镜中掺有感光变色材料。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述感光变色材料的含量根据图像传感器的动态响应范围与光线强度的关系而确定。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述微透镜由掺有感光粉的透镜材料、掺有吡螺环的树脂材料或者卤化银感光材料形成。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述微透镜包括透镜层和覆盖所述透镜层的变色层，所述变色层由掺有感光粉的透镜材料、掺有吡螺环的树脂材料或者卤化银感光材料形成。
5.如权利要求3或4所述的图像传感器，其特征在于，所述透镜材料中感光粉的含量为0.8％～3％。
6.如权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述透镜材料中还掺有光安定剂和抗氧化剂。
7.如权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述透镜材料中光安定剂和抗氧化剂的含量为感光粉的含量的0.5倍～5倍。
8.如权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述变色层的厚度范围为40nm～80nm。
9.如权利要求1至8任一项所述的图像传感器，其特征在于，所述微透镜变色时光线透过率降低5％～10％。
10.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立排列的光电二极管；
在所述半导体衬底上形成滤色片，所述滤色片对应于所述光电二极管；
在所述滤色片上形成微透镜，所述微透镜中掺有感光变色材料。
11.如权利要求10所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，形成所述微透镜包括：采用掺有感光粉的透镜材料、掺有吡螺环的树脂材料或者卤化银感光材料形成所述微透镜。
12.如权利要求10所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，形成所述微透镜包括：在所述滤色片上形成透镜层和覆盖所述透镜层的变色层，所述变色层由掺有感光粉的透镜材料、掺有吡螺环的树脂材料或者卤化银感光材料形成。
13.如权利要求11或12所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，所述透镜材料中还掺有光安定剂和抗氧化剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
