[发明专利]TSV结构及TSV露头方法

权利要求书

1.一种TSV结构，其特征在于，包括：

衬底(10)；

TSV导电柱(20)，贯穿于所述衬底正面(110)和所述衬底背面(120)设置，且所述TSV导电柱(20)具有延伸出所述衬底背面(120)的露头部分；

光敏性有机绝缘层(40)，覆盖于所述衬底背面(120)并包裹所述露头部分，所述光敏性有机绝缘层(40)具有远离所述衬底背面(120)的第一表面，且所述光敏性有机绝缘层(40)中具有由所述第一表面向所述TSV导电柱(20)延伸的通孔(410)。

2.根据权利要求1所述的TSV结构，其特征在于，沿所述衬底背面(120)指向所述第一表面的方向上，所述露头部分的高度大于0.5μm。

3.根据权利要求1所述的TSV结构，其特征在于，沿所述衬底背面(120)指向所述第一表面的方向上，所述通孔(410)的高度大于2μm。

4.根据权利要求1所述的TSV结构，其特征在于，所述光敏性有机绝缘层(40)为PI层或PBO层。

5.根据权利要求1所述的TSV结构，其特征在于，所述光敏性有机绝缘层(40)的所述第一表面高于所述TSV导电柱(20)与所述通孔(410)接触的表面。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的TSV结构，其特征在于，所述TSV结构还包括绝缘介质层(30)，所述绝缘介质层(30)包裹所述TSV导电柱(20)。

7.一种TSV露头方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，在衬底中设置TSV导电柱(20)，使所述TSV导电柱(20)贯穿衬底正面(110)和衬底背面(120)，且所述TSV导电柱(20)的一端延伸出所述衬底背面(120)形成露头部分；

S2，在所述衬底背面(120)形成光敏性有机绝缘层(40)，以使所述光敏性有机绝缘层(40)包裹所述露头部分，所述光敏性有机绝缘层(40)具有远离所述衬底背面(120)的第一表面；

S3，在对应所述TSV导电柱(20)对应的位置形成贯穿所述光敏性有机绝缘层(40)的通孔(410)。

8.根据权利要求7所述的TSV露头方法，其特征在于，所述步骤S1包括以下步骤：

S11，在所述衬底(10)中形成TSV导电柱(20)，以使所述TSV导电柱(20)与所述衬底正面(110)连通；

S12，沿所述衬底背面(120)减薄所述衬底(10)，优选减薄后所述衬底背面(120)至所述TSV导电柱(20)之间的最短距离为10～50μm；

S13，沿所述衬底背面(120)刻蚀所述衬底(10)，以使所述TSV导电柱(20)的一端延伸出所述衬底背面(120)形成所述露头部分，优选刻蚀后所述露头部分的顶部至所述衬底背面(120)之间的最短距离大于0.5μm。

9.根据权利要求8所述的TSV露头方法，其特征在于，所述TSV结构还包括绝缘介质层(30)，所述步骤S11包括以下步骤：

在所述衬底(10)中形成TSV盲孔，以使所述TSV盲孔与所述衬底正面(110)连通；

形成覆盖于所述TSV盲孔底部以及所述TSV盲孔内壁上的所述绝缘介质层(30)；

在所述TSV盲孔中形成所述TSV导电柱(20)，以使所述绝缘介质层(30)包裹于所述TSV导电柱(20)。

10.根据权利要求7所述的TSV露头方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下步骤：

在所述衬底背面(120)涂布形成所述光敏性有机绝缘层(40)，以使所述光敏性有机绝缘层(40)覆盖所述露头部分，优选所述第一表面与所述衬底背面(120)之间的最短距离大于2μm；

对所述光敏性有机绝缘层(40)进行光刻，以使所述露头部分的顶部裸露，形成所述通孔(410)。

11.根据权利要求7所述的TSV露头方法，其特征在于，采用PI或PBO形成所述光敏性有机绝缘层(40)。