[发明专利]混合结构超材料太赫兹宽带吸收器

权利要求书

1.一种混合结构超材料太赫兹宽带吸收器，其特征在于包括太赫兹波输入端（1）、N×N个结构单元（2），N为自然数，N×N个结构单元周期排列在与太赫兹波输入方向垂直的平面上；每个结构单元的三维结构为长方体，长方体具有三层结构，包括顶层金属微结构层（3）、介质层（4）以及底层金属层（5），顶层金属微结构层（3）和底层金属层（5）分别覆盖于介质层（4）的两侧；太赫兹波从N×N个结构单元（2）上具有顶层金属微结构层（3）的一侧输入；每个结构单元长方体由7个尺寸完全相同且顺次相连的长方体组成，且7个长方体中的顶层金属微结构层（3）形状不同，由五个十字架形状和四个星型形状组成，从左到右依次为第一十字架、第二星型、第三十字架、第四星型、第五十字架、第六星型、第七十字架；

所述的N×N个结构单元（2）中，每个结构单元长方体的长度为350µm~420μm，宽度为50µm~60μm；

所述的顶层金属微结构层（3）为金属铜，电导率为4.561×10⁷S∕m，厚度为100nm~200nm；顶层金属微结构层（3）中，第一十字架的长度为50µm~60μm，宽度为10µm~12μm；第二星型结构由两个垂直且相同的椭圆形状组成，椭圆形状的短轴长度为14µm~16μm，长轴长度为50µm~60μm；第三十字架的长度为50µm~60μm，宽度为9µm~11μm；第四星型结构由两个垂直且相同的椭圆形状组成，椭圆形状的短轴长度为10µm~12μm，长轴长度为50µm~60μm；第五十字架的长度为50µm~60μm，宽度为8µm~10μm；第六星型结构由两个垂直且相同的椭圆形状组成，椭圆形状的短轴长度为8µm~10μm，长轴长度为50µm~60μm；第七十字架的长度为50µm~60μm，宽度为7µm~9μm。

2.如权利要求1所述的混合结构超材料太赫兹宽带吸收器，其特征在于所述的介质层（4）的宽度为50µm~60μm，长度为350µm~420μm，厚度为34~40μm，材料为相对介电常数为3.9二氧化硅。

3.如权利要求1所述的混合结构超材料太赫兹宽带吸收器，其特征在于所述的底层金属层（5）为金属铜，电导率为4.561×10⁷S∕m，长度为350µm~420μm，宽度为50~60μm，厚度为100~200μm。