[发明专利]一种Si4+

说明书

本发明公开了一种Si⁴⁺、Ge⁴⁺和Sn⁴⁺离子掺杂的LiGa₅O₈:Cr³⁺的制备方法，步骤如下：将Li₂CO₃Ga₂O₃、Cr₂O₃、SiO₂、GeO₂和SnO₂置入玛瑙研钵中，混合并充分研磨1.5‑2.5h，对研磨后的粉末混合物进行压片，然后放入高温马弗炉，在空气气氛中升温至1320‑1340℃煅烧11‑13h，随炉冷却至室温后取出即得。该方法简便、快捷、易操作，制备的Si⁴⁺、Ge⁴⁺和Sn⁴⁺离子掺杂的LiGa₅O₈:Cr³⁺长余辉材料具有优异的发光强度和余辉性能，在安全指示、信息显示和生物医学成像等领域具有潜在的应用价值。

技术领域

本发明涉及一种Si⁴⁺、Ge⁴⁺和Sn⁴⁺离子掺杂的LiGa₅O₈:Cr³⁺的制备方法。

背景技术

长余辉材料是一种特殊的发光材料，它能够吸收可见光或紫外光等激发的能量并存储，当激发停止后，在一定条件下将储存的能量以发光的形式缓慢释放。对长余辉发光材料的应用，已经从信息显示、安全指示等日常生活领域逐步扩展到生物检测、光学成像等领域。近红外长余辉发光材料具有高的信号收集率、信噪比和优良的深组织透过性能，其在医疗成像检测领域的潜在应用价值引起了科研人员的重点关注，利用生物透过窗口波长范围的近红外长余辉材料作为生物标记物对癌细胞有针对性地进行追踪诊断成为研究的热点。

镓酸盐具有良好的化学稳定性和热稳定性，常用于制备长余辉发光材料。LiGa₅O₈具有反尖晶石结构，结构中有四面体空隙和八面体空隙，这些空隙有利于离子掺杂，可作为长余辉发光的基质材料。

发明内容

本发明的目的在于提供一种Si⁴⁺、Ge⁴⁺和Sn⁴⁺离子掺杂的LiGa₅O₈:Cr³⁺的制备方法。

本发明通过下面技术方案实现：

一种Si⁴⁺、Ge⁴⁺和Sn⁴⁺离子掺杂的LiGa₅O₈:Cr³⁺的制备方法，包括如下步骤：将15-25份Li₂CO₃Ga₂O₃、10-20份Cr₂O₃、7-9份SiO₂、2-4份GeO₂和1-2份SnO₂置入玛瑙研钵中，混合并充分研磨1.5-2.5h，对研磨后的粉末混合物进行压片，然后放入高温马弗炉，在空气气氛中升温至1320-1340℃煅烧11-13h，随炉冷却至室温后取出即得；各原料均为重量份。

优选地，所述的制备方法中，混合并充分研磨2h。

优选地，所述的制备方法中，在空气气氛中升温至1330℃煅烧12h。

本发明技术效果：