[发明专利]一种带有上浮栅结构的梯形射频MEMS开关在审
申请号: | 201811414006.8 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN109346381A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 刘泽文;郭昕;张玉龙;叶敏杰 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01H59/00 | 分类号: | H01H59/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 罗文群 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 射频MEMS开关 悬臂梁 浮栅结构 驱动电压 栅结构 上浮 射频微电子机械系统 通信技术领域 工艺复杂度 悬臂梁结构 弹性系数 方向设置 静电驱动 使用寿命 通信领域 移动终端 电荷 充电层 隔离层 外边框 预充电 横梁 制作 兼容 应用 | ||
1.一种带有浮栅结构的梯形射频MEMS开关,其特征在于包括衬底、两根信号传输线、两根地线、空气桥、悬臂梁、下电极、隔离层和电荷存储层;所述的两根信号传输线对称置于衬底上,所述的下电极置于两根信号传输线之间;所述的悬臂梁的一端通过锚点柱固定在一根信号传输线的上方,悬臂梁的另一端悬臂横跨在下电极的上方,到达另一根信号传输线端部的上方,另一根信号传输线的该端部设置有接触点;所述的隔离层和电荷存储层组成一个浮栅结构,该浮栅结构置于悬臂梁的下表面,其中的电荷存储层与下电极相对;所述的两根地线对称置于两根信号传输线两侧的衬底上,其中的一根地线在中间断开;所述的空气桥通过锚点柱架在地线中间断开处的上方;所述的下电极引出线置于衬底上,下电极引出线的一端与下电极相连接,与下电极相连接后的下电极引出线从空气桥下方穿出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811414006.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。