[发明专利]一种CMP晶圆清洗设备在审
申请号: | 201811414081.4 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN109524330A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 顾海洋;张志军;古枫;王东辉 | 申请(专利权)人: | 杭州众硅电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人: | 李吉宽 |
地址: | 311305 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 晶圆清洗设备 缓冲单元 输入单元 清洗 传输机械手 翻转机械手 安全存储 清洗设备 刷洗单元 兆声清洗 晶圆抓取装置 抓取 垂直运动轴 水平运动轴 程序转换 发生故障 临时存放 抛光晶圆 抛光区域 依次排列 有效解决 抓取装置 翻转 抛光 甩干 穿过 传输 | ||
1.一种CMP晶圆清洗设备,包括依次排列的清洗输入单元(1)、兆声清洗单元(2)、第一刷洗单元(3)、第二刷洗单元(4)、甩干单元(5),传输机械手(6)和翻转机械手(7)位于清洗设备的上方,传输机械手(6)包括水平运动轴(601)、垂直运动轴(602)和晶圆抓取装置,可将晶圆在所述单元之间传输,翻转机械手(7)将所述晶圆抓取装置中的晶圆抓取并翻转,其特征在于,还包括缓冲单元(8),所述缓冲单元(8)位于清洗输入单元(1)的前方,可以临时存放晶圆。
2.根据权利要求1所述的CMP晶圆清洗设备,其特征在于包括抛光晶圆通道(10),位于所述清洗输入单元(1)和所述兆声清洗单元(2)之间,以方便待化学机械抛光的晶圆进入抛光区域时穿过清洗设备。
3.根据权利要求2所述的CMP晶圆清洗设备,其特征在于抛光晶圆通道(10)和清洗输入单元(1)中的晶圆托架均可以同时或单独移出,方便进行装载晶圆操作。
4.根据权利要求1所述的CMP晶圆清洗设备,其特征在于在缓冲单元(8)中设置喷水装置,防止晶圆未经清洗而干燥。
5.根据权利要求1所述的CMP晶圆清洗设备,其特征在于在缓冲单元(8)中可以临时存放若干片晶圆。
6.根据权利要求1所述的CMP晶圆清洗设备,其特征在于清洗和刷洗过程中晶圆处于垂直方向,在甩干过程中晶圆处于水平方向。
7.根据权利要求1所述的CMP晶圆清洗设备,其特征在于清洗、刷洗、甩干过程中晶圆均处于垂直方向。
8.根据权利要求1所述的CMP晶圆清洗设备,其特征在于晶圆在水平和垂直状态之间的转换通过传输机械手或独立的翻转机械手实现。
9.根据权利要求1所述的CMP晶圆清洗设备,其特征在于所述传输机械手包括晶圆抓取装置一(603)和晶圆抓取装置二(604)。
10.根据权利要求9所述的CMP晶圆清洗设备,其特征在于靠近甩干单元侧的晶圆抓取装置一(603)自带晶圆翻转功能,以省掉翻转机械手。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造