[发明专利]聚偏氟乙烯薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201811414141.2 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN109320743B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 孙晓丽;米策;闫寿科;李慧慧;任忠杰 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08J7/00;C08L27/16 |
| 代理公司： | 北京悦成知识产权代理事务所(普通合伙) 11527 | 代理人： | 樊耀峰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚偏氟 乙烯 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将聚偏氟乙烯PVDF分散于溶剂中，形成浓度为1～100mg/mL的PVDF溶液；其中，PVDF的重均分子量为3.5×105～6×105；
(2)将所述PVDF溶液施加于基底上、并在80～130℃干燥成型，得到初始膜；
(3)将所述初始膜进一步干燥，形成预处理膜；其中，干燥温度为100～110℃；
(4)以1～20℃/min的升温速率将所述预处理膜升温至160～170℃，并持续退火1～60min，然后以1～20℃/min的降温速率降温至23±2℃，形成γ晶型聚偏氟乙烯薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述溶剂选自N,N-二甲基甲酰胺DMF、N,N-二甲基乙酰胺DMAc、N-甲基吡咯烷酮NMP、二甲基亚砜DMSO、丙酮、四氢呋喃以及乙腈中的一种或者多种。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，将所述PVDF溶液施加于基底上、并在80～100℃干燥成型，得到初始膜。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述基底选自玻璃、晶体硅、溴化钾、氧化铝、石英以及金属中的一种。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，采用旋涂法或者滴膜法将所述PVDF溶液施加于基底上。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用旋涂法将所述PVDF溶液施加于基底上，基底的转速为1000～5000rpm，旋涂时间为0.5～3min。
7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，以1～10℃/min的升温速率将所述预处理膜升温至164～169℃，并持续退火1～10min。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，以1～10℃/min的降温速率降温至23±2℃，形成聚偏氟乙烯薄膜。
9.根据权利要求1～8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述聚偏氟乙烯薄膜中的γ晶型含量为95wt％以上；所述聚偏氟乙烯薄膜的厚度为0.1～100μm。
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