[发明专利]电子装置有效
申请号: | 201811414514.6 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN111221162B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 程长江;黄怀平;吴勇勋;王芃文;林志隆;蔡嘉豪 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/133 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,其特征在于,包含:
一显示面板,包含:
一第一像素电路;
一第二像素电路,与该第一像素电路相邻;
一第一信号线,电性连接于该第一像素电路;
一第二信号线,电性连接于该第二像素电路;以及
一第一缓冲电路单元,位于该第一像素电路与该第二像素电路之间,
其中该第一像素电路的至少一部分与该第二像素电路的至少一部分位于该第一信号线与该第二信号线之间;以及
一移位电路单元,包含:
一光遮蔽层,具有一导电性;
一缓冲层,形成于该光遮蔽层上;
一多晶硅层,形成于该缓冲层上;
一栅极介电层,形成于该多晶硅层上;
一第一金属层,形成于该栅极介电层上;
一中间介电层,形成于该第一金属层上;以及
一第二金属层,形成于该中间介电层上,
其中该中间介电层、该第一金属层与该第二金属层形成一第一电容,该栅极介电层、该第一金属层与该多晶硅层形成一第二电容,且该缓冲层、该多晶硅层与该光遮蔽层形成一第三电容。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,
该第二金属层与该多晶硅层彼此电性连接;以及
该第一金属层与该光遮蔽层彼此电性连接,其中该第一电容、该第二电容与该第三电容是彼此并联。
3.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,还包含一光源层,该光源层包含:
一第一亮度加强区域;
一一般亮度区域,其中,在一单色画面中,该第一亮度加强区域的亮度大于该一般亮度区域的亮度。
4.如权利要求3所述的电子装置,其特征在于,该显示面板更包含一移位电路单元,其中该移位电路单元与该光源层的一部分重叠。
5.如权利要求3所述的电子装置,其特征在于,该光源层更包含:
一第二亮度加强区域,其中
该一般亮度区域设置于该第一亮度加强区域与该第二亮度加强区域之间,且该第二亮度加强区域的亮度大于该一般亮度区域的亮度。
6.如权利要求5所述的电子装置,其特征在于,该光源层包含:
一第一发光二极管,设置在该第一亮度加强区域;
一第二发光二极管,设置在该第二亮度加强区域;
一第三发光二极管,设置在该一般亮度区域,其中,该第一发光二极管的亮度大于该第三发光二极管的亮度,且该第二发光二极管的亮度大于该第三发光二极管的亮度。
7.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该显示面板包含:
一缓冲显示区域,其中该第一缓冲电路单元设置于该缓冲显示区域内;
一一般像素电路显示区域,相邻于该缓冲显示区域,其中,在该显示面板显示一单色画面时,位于该缓冲显示区域内的像素电路依据一第一灰度电压而显示,位于该一般像素电路显示区域内的像素电路依据一第二灰度电压而显示,且该第一灰度电压大于该第二灰度电压。
8.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该显示面板还包含:
一第三像素电路,相邻于该第二像素电路,且该第二像素电路位于该第一像素电路与该第三像素电路之间;
一第三信号线,电性连接于该第三像素电路,以及
其中该第二信号线与该第三信号线位于该第二像素电路与该第三像素电路之间。
9.如权利要求8所述的电子装置,其特征在于,该显示面板还包含:
一第二缓冲电路单元,相邻于该第一缓冲电路单元,
其中该第二像素电路的至少一部分与该第三像素电路的至少一部分位于该第一缓冲电路单元与该第二缓冲电路单元之间。
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