[发明专利]一种金属有机物化学气相沉积设备的反应腔体的清洁方法

权利要求书

1.一种金属有机物化学气相沉积设备的反应腔体的清洁方法，其特征在于，包括：

S1、将所述反应腔体升温到第一温度，并向所述反应腔体内通入氢气，以去除所述反应腔体内的水气；

S2、将所述反应腔体升温到第二温度，并持续向所述反应腔体内通入氢气，以利用所述氢气烘烤所述反应腔体；

S3、将所述反应腔体保持在所述第二温度，并持续向所述反应腔体内通入氢气，且利用脉冲循环方式向所述反应腔体内通入氨气；

S4、向所述反应腔体内通入氮气，在氮气环境下将所述反应腔体的温度逐渐降低到常温；

在进行所述步骤S1操作之前，向所述反应腔体内放入用于烘烤的底盘；

在所述步骤S1中，所述第一温度为550～600℃，所述反应腔体的反应室的压力控制在75～200torr，通入所述氢气的流量控制在50～100L/min，保持时间控制在3～5min，所述底盘的转速控制在600～700转/min；

在所述步骤S2中，所述第二温度控制在1100～1200℃，所述反应腔体的反应室的压力控制在75～200torr，通入所述氢气的流量控制在100～150L/min，保持时间控制在30～60min，所述底盘的转速控制在1000～1200转/min；

在所述步骤S3中，所述反应腔体的反应室的压力控制在75～200torr，所述底盘的转速控制在1000～1200转/min；

所述步骤S3包括：

S31、通入氢气，所述氢气的流量控制在100～150L/min，保持时间控制在5～10s；

S32、同时通入氢气和氨气，所述氢气的流量控制在95～140L/min，所述氨气的流量控制在5～10L/min，保持时间控制在5～10s，步骤S31和步骤S32循环进行。