[发明专利]刻蚀方法以及利用该刻蚀方法制造半导体器件的方法

说明书

本发明提供一种刻蚀方法和一种制造半导体器件的方法。所述刻蚀方法包括：将第一处理气体的等离子体提供到刻蚀对象，以在所述刻蚀对象上形成沉积层，所述第一处理气体包括碳氟化合物气体和惰性气体，并且所述刻蚀对象包括包含氧化硅的第一区和包含氮化硅的第二区；将惰性气体的等离子体提供到在所述刻蚀对象上具有所述沉积层的所述刻蚀对象，以活化所述氧化硅的刻蚀反应，其中，将负直流电压施加到与所述刻蚀对象分隔开以面对所述刻蚀对象的刻蚀表面的相对部，所述相对部包括硅；以及随后，提供第二处理气体的等离子体，以去除刻蚀反应产物，所述第二处理气体包括惰性气体和含氧气体。

相关申请的交叉引用

将于2017年11月28日向韩国知识产权局提交的名称为“刻蚀方法以及利用该刻蚀方法制造半导体器件的方法”的韩国专利申请No.10-2017-0161019以引用的方式整体并入本文。

技术领域

实施例涉及一种刻蚀方法和利用此刻蚀方法制造半导体器件的方法。

背景技术

在制造半导体器件的过程中可执行刻蚀方法。被刻蚀的对象可包含多种结构和/或多种材料。刻蚀可以相对于一种材料选择性地去除另一种材料，使得刻蚀具有刻蚀选择性。

发明内容

实施例涉及一种刻蚀方法，包括：将第一处理气体的等离子体提供到刻蚀对象，以在所述刻蚀对象上形成沉积层，所述第一处理气体包括碳氟化合物气体和惰性气体，并且所述刻蚀对象包括包含氧化硅的第一区和包含氮化硅的第二区；将惰性气体的等离子体提供到在所述刻蚀对象上具有所述沉积层的所述刻蚀对象，以活化所述氧化硅的刻蚀反应，其中，将负直流电压施加到与所述刻蚀对象分隔开以面对所述刻蚀对象的刻蚀表面的相对部，所述相对部包括硅；以及随后，提供第二处理气体的等离子体，以去除刻蚀反应产物，所述第二处理气体包括惰性气体和含氧气体。

实施例还涉及制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包括氧化硅且覆盖封盖图案和下绝缘隔层的上绝缘隔层，所述封盖图案设置在栅极结构上，所述下绝缘隔层覆盖与所述栅极结构相邻的源极/漏极层；以及形成穿过所述上绝缘隔层和所述下绝缘隔层的接触孔，以暴露所述源极/漏极层。形成所述接触孔可包括：在所述上绝缘隔层上形成包括氮化硅的掩模，提供第一处理气体的等离子体，以在所述掩模上和在所述上绝缘隔层的暴露的上表面上形成沉积层，所述第一处理气体包括碳氟化合物气体和惰性气体，随后，提供惰性气体的等离子体，以活化所述氧化硅的刻蚀反应，其中，将负直流电压施加到与刻蚀对象分隔开以面对所述刻蚀对象的刻蚀表面的相对部，所述相对部包括硅，以及随后，提供第二处理气体的等离子体，以去除刻蚀反应产物，所述第二处理气体包括惰性气体和含氧气体。

实施例还涉及一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在栅极结构和与所述栅极结构相邻的源极/漏极层上形成绝缘隔层；以及形成穿过所述绝缘隔层的接触孔，以暴露所述源极/漏极层，其中，形成所述接触孔包括：在所述绝缘隔层上形成包括氮化硅的掩模，提供第一处理气体的等离子体，以在所述掩模上和在所述绝缘隔层的暴露的上表面上形成沉积层，所述第一处理气体包括碳氟化合物气体和惰性气体，随后，提供惰性气体的等离子体，其中，在提供所述惰性气体的等离子体时将硅离子施加到所述沉积层，以及随后，提供第二处理气体的等离子体，所述第二处理气体包括惰性气体和含氧气体。

附图说明

通过参考附图详细描述示例实施例，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，其中：

图1示出了根据示例实施例的刻蚀方法的流程图。

图2至图4示出了根据示例实施例的刻蚀方法中的刻蚀对象的剖面图。

图5示出了根据示例实施例的刻蚀对象和用于执行刻蚀方法的刻蚀设备的剖面图。

图6、图8、图11、图14、图17、图20、图22和图28示出了根据示例实施例的刻蚀方法中的各阶段的平面图。