[发明专利]硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法在审
申请号: | 201811417388.X | 申请日: | 2010-12-15 |
公开(公告)号: | CN110061130A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 尼尔·格里利;巴斯卡尔·斯里尼瓦桑;古尔特杰·桑胡;约翰·斯迈思 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器存取装置 绝缘材料 自对准 存储器元件 硫属化合物 导电电极 通孔 交叉点存储器阵列 硫属化合物材料 三维堆叠 生长 图案化 可用 存取 掺杂 存储 暴露 制作 | ||
1.一种存储器装置,其包括:
绝缘材料,其位于第一导电电极上方,所述绝缘材料包括暴露所述第一导电电极的部分的通孔;
自对准的经掺杂硫属化合物存储器存取装置,其形成在所述绝缘材料的所述通孔内,其中所述存储器存取装置掺杂有掺杂剂材料,所述掺杂剂材料为Cu或Ag中的一者;及
存储器元件,其位于所述存储器存取装置上方,其中存储在所述存储器元件中的数据可经由所述存储器存取装置而存取。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述经掺杂硫属化合物存储器存取装置包括硫属化合物材料,所述硫属化合物材料包含由Se及/或Te与Sb、In及Ge中的一者或更多者形成的合金的组合组成的群组中的一者,其中所述组合为Cu掺杂的。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述经掺杂硫属化合物存储器存取装置包括硫属化合物材料,所述硫属化合物材料包含由Se及/或Te与Sb、In及Ge中的一者或更多者形成的合金的组合组成的群组中的一者,其中所述组合为Ag掺杂的。
4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述自对准的存储器存取装置使用电化学沉积形成。
5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述自对准的存储器存取装置使用气相沉积形成。
6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述自对准的经掺杂硫属化合物存储器存取装置仅形成在所述第一导电电极的暴露部分上。
7.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述绝缘材料中的所述通孔具有40nm或更少的宽度。
8.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述第一导电电极为字线。
9.根据权利要求1所述的存储器装置,其进一步包含位于所述存储器元件上方的第二导电电极。
10.根据权利要求9所述的存储器装置,其中所述第二导电电极为位线。
11.根据权利要求9所述的存储器装置,其中所述存储器装置为交叉点存储器。
12.根据权利要求11所述的存储器装置,其进一步包含多个重复的个别存储器装置层级,每个重复的层级包含所述第一导电电极、所述绝缘材料、所述存储器存取装置、所述存储器元件和所述第二导电电极,其中所述交叉点存储器装置包含多个存储器元件和存储器存取装置层级,使得其为三维堆叠存储器装置,且其中每个存储器存取装置为对应的存储器元件的选择装置。
13.一种存储器装置,其包含:
绝缘材料,其位于第一导电电极上方,所述绝缘材料包括暴露所述第一导电电极的部分的通孔;
自对准的灌注有Ge的经掺杂硫属化合物存储器存取装置,其形成在所述绝缘材料的所述通孔内,其中,所述存储器存取装置包含硫属化合物材料,所述硫属化合物材料为Se及/或Te与Sb及In中的一者或更多者形成的合金的组合;及
存储器元件,其位于所述存储器存取装置上方,其中存储在所述存储器元件中的数据可经由所述存储器存取装置而存取。
14.根据权利要求13所述的存储器装置,其中使用气体团簇离子束改性而给所述硫属化合物材料灌注Ge。
15.根据权利要求13所述的存储器装置,其中所述存储器存取装置掺杂有掺杂剂材料,所述掺杂剂材料为Cu或Ag中的一者。
16.根据权利要求13所述的存储器装置,其中所述绝缘材料中的所述通孔具有40nm或更少的宽度。
17.根据权利要求13所述的存储器装置,其中所述存储器装置为交叉点存储器。
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