[发明专利]全无机钙钛矿多重阻变忆阻器的制备方法在审
| 申请号： | 201811417769.8 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN109346601A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 阮伟;张树芳;张志伟;胡延强 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 刘海霞 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无机钙钛矿 制备 忆阻器 薄膜 钙钛矿薄膜 溶剂 致密 忆阻器元件 制备钙钛矿 基底表面 退火处理 铂电极 覆盖度 热喷涂 滴加 丁酸 镀层 甲醇 旋涂 冷却 清洗 | ||
【权利要求书】：
1.全无机钙钛矿多重阻变忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，100～150℃下，在清洗干净的基底表面喷涂CsPbBr3前驱体溶液，制备钙钛矿薄膜；
步骤2，将步骤1的薄膜进行旋涂，旋涂过程中滴加溶剂进行溶解再结晶，所述的溶剂中甲醇与丁酸的体积比为100:0～100:5；
步骤3，旋涂后的薄膜在200～250℃下加热，进行退火处理，得到全无机钙钛矿薄膜；
步骤4，在全无机钙钛矿薄膜上镀一层金或铂电极，得到全无机钙钛矿多重阻变忆阻器。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述的基底依次用洗洁精，水，乙醇、丙酮超声清洗后吹干，紫外处理10～15分钟。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述的基底为FTO导电玻璃。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述的CsPbBr3前驱体溶液为CsPbBr3的DMF或DMSO溶液。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，旋涂速度为2000rpm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤4中，退火温度为200～250℃。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤4中，退火时间为2小时。
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