[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部以及横跨所述鳍部的伪栅结构，其中，所述鳍部具有第一高度；

刻蚀所述伪栅结构两侧的所述鳍部，以使得伪栅结构两侧的所述鳍部具有低于第一高度的第二高度；

形成覆盖所述伪栅结构侧壁和部分所述鳍部的隔离墙；

刻蚀隔离墙外的所述鳍部，以使得隔离墙外的所述鳍部具有低于第二高度的第三高度；

在刻蚀后的鳍部上外延生长，形成源区和漏区；

去除所述伪栅结构，并在所述伪栅结构原来所在的位置形成栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底还包括：覆盖鳍部之间半导体衬底的浅沟槽隔离结构；

所述方法还包括：

在刻蚀所述伪栅结构两侧的所述鳍部前，在所述浅沟槽隔离结构上形成保护层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，刻蚀所述伪栅结构两侧的所述鳍部的刻蚀深度被配置为使得所述鳍部的顶部表面与保护层的顶部表面在同一水平面。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第三高度等于浅沟槽隔离结构的高度。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述保护层为有机介质层或底部抗反射涂层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述隔离墙前对伪栅结构和鳍部进行再氧化处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述隔离墙的材质为氮化硅。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部，所述鳍部具有阶梯状结构；

横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构下方的鳍部具有第一高度；

覆盖所述栅极结构侧壁和部分所述鳍部的隔离墙，所述隔离墙下方的鳍部具有第二高度；

源区和漏区，所述源区和漏区下方的鳍部具有第三高度；

其中，所述第一高度、第二高度和第三高度依次减小。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述器件还包括：覆盖鳍部之间半导体衬底的浅沟槽隔离结构。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的高度等于第三高度。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离墙的材质为氮化硅。