[发明专利]绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法有效
申请号: | 201811418904.0 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN109545974B | 公开(公告)日: | 2021-01-19 |
发明(设计)人: | 杨冠军;李小磊;刘梅军;王瑶;楚倩倩;李长久;李成新 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 田洲 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 均匀 钙钛矿膜 粘液 膜抑爬 原位 制备 方法 | ||
本发明公开一种绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法,包括:第一步,利用黏度不低于2.5mPa·s的高粘度溶剂配制钙钛矿前驱体溶胶;第二步,钙钛矿液膜的均匀涂覆;第三步,钙钛矿液膜的干燥处理;第四步,钙钛矿薄膜的热处理:将经干燥处理的钙钛矿薄膜在90~150℃进行10~120min的退火处理,去除残余溶剂并使晶粒长大,最后得到全覆盖仿金字塔形的绒面均匀钙钛矿薄膜。本发明在不对硅金字塔绒面进行抛光磨平处理的条件下,采用溶液沉积法实现了在微米尺度起伏的金字塔绒面基底上全覆盖均匀仿形钙钛矿薄膜的制备,保持了硅太阳能电池高效率的优势;套公式省去了抛光磨平处理,降低了生产成本,减少了时间的浪费,提高了实际生产速度。
技术领域
本发明属于硅-钙钛矿叠层太阳能电池制备技术领域,特别涉及一种钙钛矿膜的制备方法。
背景技术
太阳能电池是一种能够将太阳光的能量直接转变为电能的半导体器件,它对于解决人类发展过程中的能源与环境问题具有重要的意义。有机无机杂化钙钛矿太阳能电池因其具有超高的光电转化效率、简单低廉的制备工艺和设备、可溶液法低温制备等优点,近年来受到了全世界学术界及产业界的广泛关注。截止2018年11月,得到认证的单结钙钛矿太阳能电池的最高效率已经达到23.4%。更高的光电转换效率始终是光伏电池技术发展的核心目标之一。然而单结钙钛矿太阳能电池的光电转换效率无法超过肖克利-奎伊瑟极限理论效率。多结太阳能电池,即叠层电池由具有不同带隙的太阳能子电池组成,是一种成熟有效的突破肖克利-奎伊瑟极限理论效率的方式,已经广泛应用于传统的硅、砷化镓太阳能电池。硅太阳能电池是目前占据市场份额最大的主流光伏技术。单晶硅的带隙约为1.1eV,是理想的窄带隙子电池。有机无机杂化钙钛矿材料及全无机钙钛矿材料具有带隙连续可调(1.25~2.0eV)的特点。基于上述特点,硅-钙钛矿叠层光伏电池技术成为了实现超高效、低成本光伏发电技术的重大课题之一。
高效率商业化硅太阳能电池通常采用金字塔绒面陷光结构。硅金字塔绒面起伏高度通常在1~20μm,它能够有效增加光俘获能力,从而提高电池的短路电流密度。然而,在这种复杂的表面纹理结构难以沉积厚度均匀的钙钛矿膜。以溶液法沉积厚度小于1μm的钙钛矿薄膜时,溶液在“金字塔”之间的谷中积聚,使得金字塔的塔尖上没有覆盖液体,这将导致最终的钙钛矿薄膜无法完全覆盖金字塔的顶角及棱。这种现象将导致电池短路,进而降低钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池的光电转换效率。为了避免这一问题,现有技术对硅电池的金字塔绒面进行了抛光磨平处理。然而,与具有金字塔绒面陷光结构的硅电池相比,硅太阳能电池抛光后的光电转换效率会降低至原始值的约50%。因此,这一技术方案存在如下不足:第一,对硅金字塔绒面进行抛光磨平处理大幅降低了硅太阳能电池的光电转换效率;第二,增加的抛光磨平处理提高了叠层太阳能电池的生产成本,增加了工序和时间,降低了生产效率。因此,如何在微米尺度起伏的金字塔绒面基底上制备全覆盖均匀仿形钙钛矿薄膜成为实现高效率低成本硅-钙钛矿两端叠层光伏电池技术的核心难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法,以解决上述技术问题。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
绒面均匀钙钛矿膜的高粘液膜抑爬原位析晶制备方法,包括以下步骤:
第一步,利用黏度不低于2.5mPa·s的高粘度溶剂配制钙钛矿前驱体溶胶;
第二步,钙钛矿液膜的均匀涂覆:将钙钛矿前驱体溶胶或溶液涂覆在具有金字塔绒面形貌的基底上,形成一层厚度小于金字塔平均特征高度的60%的均匀仿形钙钛矿液膜;金字塔平均特征高度范围为5~20μm;
第三步,钙钛矿液膜的干燥处理:快速完成对钙钛矿液膜的干燥处理,从而获得均匀全覆盖仿金字塔形钙钛矿薄膜;
第四步,钙钛矿薄膜的热处理:将经干燥处理的钙钛矿薄膜在90~150℃进行10~120min的退火处理,去除残余溶剂并使晶粒长大,最后得到全覆盖仿金字塔形的绒面均匀钙钛矿薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811418904.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择