[发明专利]晶体管和用于制作晶体管的方法

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

半导体衬底，其中具有掩埋绝缘层；

漏极区域，向下延伸到所述掩埋绝缘层；

源极区域，向下延伸到所述掩埋绝缘层，其中所述源极区域和所述漏极区域在所述衬底的顶表面之上延伸；

外延沟道，在所述源极区域和所述漏极区域之间延伸；

栅极堆叠，部分凹陷到在所述衬底的所述顶表面之下的凹陷深度，所述栅极堆叠包括：

栅极电介质，与所述外延沟道接触，所述栅极电介质具有电介质长度；和

金属栅极，具有栅极长度，所述栅极长度超过所述电介质长度一距离，所述距离限定底切区域；以及

单个连续封料，与所述金属栅极的顶表面、侧壁和底侧接触，所述封料被定位于所述底切区域中。

2.根据权利要求1所述的晶体管，进一步包括：第一金属接触和第二金属接触，分别连接至掺杂的所述源极区域和所述漏极区域，其中所述第一金属接触与所述封料的第一侧面和顶侧接触，并且所述第二金属接触与所述封料的第二侧面和所述顶侧接触。

3.一种晶体管，包括：

半导体本体；

掺杂的漏极区域，被定位于所述半导体本体中；

掺杂的源极区域，被定位于所述半导体本体中；

沟道区域，在所述源极区域和所述漏极区域之间延伸；

栅极堆叠，在所述半导体本体中部分地凹陷到在所述半导体本体的顶表面之下的凹陷深度，所述栅极堆叠包括：

栅极电介质，与所述沟道区域接触，所述栅极电介质具有电介质长度；和

导电栅极，具有栅极长度，所述栅极长度超过所述电介质长度一距离，所述距离限定底切区域；以及

单个连续封料，与所述金属栅极的顶表面、侧壁和底侧接触，所述单个连续封料填充所述底切区域。

4.根据权利要求3所述的晶体管，进一步包括：

抬升的源极区域和漏极区域，被定位于所述半导体本体的所述顶表面之上，并且分别接触所述掺杂的源极区域和所述掺杂的漏极区域；以及

第一金属接触和第二金属接触，分别连接至所述抬升的源极区域和漏极区域。

5.根据权利要求4所述的晶体管，其中所述抬升的源极区域和漏极区域由外延SiC制成。

6.根据权利要求3所述的晶体管，其中所述第一金属接触与所述封料的第一侧面和顶侧接触，并且所述第二金属接触与所述封料的第二侧面和所述顶侧接触。

7.根据权利要求3所述的晶体管，其中所述沟道区域是由锗硅制成的外延沟道。

8.根据权利要求3所述的晶体管，其中所述半导体本体包括：

半导体衬底；

半导体层；以及

掩埋绝缘层，被定位在所述半导体层和所述半导体衬底之间，其中所述掺杂的源极区域和所述掺杂的漏极区域被定位在所述半导体层中并且延伸至所述掩埋绝缘层。

9.根据权利要求3所述的晶体管，其中所述栅极电介质由具有大于约4.0的介电常数的材料制成。

10.根据权利要求3所述的晶体管，其中所述导电栅极包括金属阻挡层，所述金属阻挡层由金属硅化物制成，所述金属硅化物包括钛、氮化钛、碳化钛、钛钨、钽或氮化钽中的一项或者多项。

11.根据权利要求3所述的晶体管，其中所述导电栅极包括铝、钨、银、铂、金或铜中的一项或者多项。