[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有体区，位于所述体区两侧的第一漂移区和第二漂移区，位于所述体区上的栅极结构层以及覆盖所述栅极结构层的阻挡层，其中，所述第一漂移区中形成有第一漏区，所述第二漂移区中形成有第二漏区；

刻蚀预定区域的所述阻挡层和所述栅极结构层形成露出所述体区的第一凹槽和由所述第一凹槽分隔的第一栅极结构和第二栅极结构；

对所述第一凹槽中露出的所述体区进行离子注入，在所述体区中形成掺杂区，所述掺杂区具有第一掺杂类型；

刻蚀部分所述掺杂区及下方的部分所述体区，以形成分立的第一源区和第二源区以及隔离所述第一源区和所述第二源区的第二凹槽；

对所述第二凹槽底部进行离子注入，在所述第二凹槽底部形成具有第二掺杂类型的拾取区；

图案化所述阻挡层；

通过自对准工艺形成金属硅化物，所述金属硅化物至少覆盖在第二凹槽的侧壁和底面以使得所述第一源区和所述第二源区分别与所述拾取区电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化所述阻挡层包括：

刻蚀第一栅极结构和第二栅极结构上方的阻挡层，以在形成多个露出第一栅极结构的孔以及多个露出第二栅极结构的孔；

其中，通过所述自对准工艺形成的金属硅化物还覆盖所述孔的底部。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述图案化所述阻挡层还包括：刻蚀所述第一漏区和所述第二漏区上方的阻挡层，以露出所述第一漏区和所述第二漏区；

通过所述自对准工艺形成的金属硅化物还覆盖所述第一漏区和所述第二漏区。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述阻挡层上形成浮栅。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成浮栅的同时形成分别连接所述第一漏区、所述第二漏区、所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述拾取区的接触孔；

在所述接触孔上方形成互连结构，以使得第一漏区和第二漏区形成电连接。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述第二凹槽前，形成覆盖所述第一栅极结构侧壁和部分所述掺杂区的第一侧墙，以及覆盖所述第二栅极结构侧壁和部分所述掺杂区的第二侧墙。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一源区在所述第一侧墙的下方，所述第二源区在所述第二侧墙的下方，所述第二凹槽位于所述第一侧墙和所述第二侧墙之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一漂移区和所述第二漂移区具有第一掺杂类型，所述体区具有第二掺杂类型。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底中形成有体区，位于所述体区两侧的第一漂移区和第二漂移区，其中，所述第一漂移区中形成有第一漏区，所述第二漂移区中形成有第二漏区；

第一栅极结构，所述第一栅极结构覆盖部分所述第一漂移区；

第二栅极结构，所述第二栅极结构覆盖部分所述第二漂移区；

第一源区和第二源区，所述第一源区和所述第二源区形成在体区中，且相互分隔，所述第一源区和所述第二源区具有第一掺杂类型；

其中，所述体区中形成有凹陷，所述凹陷分隔第一源区和第二源区，所述凹陷底部形成有拾取区，所述拾取区具有第二掺杂类型，所述凹陷的侧壁和所述拾取区表面形成有金属硅化物，以使得所述第一源区和所述第二源区分别与所述拾取区电连接。